发布时间:2024-01-29 阅读量:2710 来源: 综合网络 发布人: bebop
1月29日消息,据外媒报道,韩国当地海关官员逮捕了一家分销公司的高管,该公司涉嫌将美国制造的半导体集成电路芯片(被列为战略物品)进口国内后走私到中国。这标志着海关首次发现利用韩国作为向中国出口外国制造半导体的中转路线。
1月25日,首尔海关总署宣布,已将在韩国分销海外电子元件的A公司40多岁的首席执行官和高管移交给首尔中央地方检察官办公室,罪名是违反《对外贸易法》、《海关法》和《隐藏犯罪收益监管法》。
据海关介绍,2020年8月至去年8月,这些个人经营A公司,并通过国内电信设备开发公司购买美国知名半导体公司生产的通信半导体IC芯片进口国内使用。然后,他们通过空运将这些芯片走私到中国144次,而没有向海关申报。这些芯片在2020年被指定为战略项目,在通信中继中将模拟信号转换为数字信号,由于其可能用于制造大规模杀伤性武器,在未经政府许可的情况下受到进出口限制。
调查显示,通过A公司走私了价值约139亿韩元(1160万美元)的96000个半导体IC芯片,其中53000个芯片被列为战略物品,价值118亿韩元。该IC芯片由一家美国半导体制造商生产,仅通过韩国官方经销商在国内供应,这些经销商需要最终用户证书和进口商的非再出口承诺才能进行分销管理。因此,由终端用户以外的实体(如A公司)进口通常是不可能的。
A公司绕过了这些限制,让国内电信设备开发公司通过韩国官方分销商进口的IC芯片超过了所需数量,然后将多余的芯片用于走私。这些芯片被少量重新包装,伪装成样品运往中国,但没有获得贸易、工业和能源部长的必要出口许可。
这些公司的营利计划是精心策划的。他们将价值仅400万韩元的半导体元件出口到香港时,将其价值夸大至75亿韩元,向海关谎报,并向银行提交伪造的文件以收取走私所得。其余资金是通过洗钱等非法手段带入该国的。
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在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。