发布时间：2023-11-30 阅读量：1621 来源: 综合网络 发布人: bebop
11月30日消息，国内知名DARM厂商长鑫存储宣布，公司已推出LPDDR5系列DRAM产品，成为国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌，实现了国内市场零的突破。目前长鑫存储的12GB LPDDR5芯片已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。
LPDDR是低功耗的DRAM存储器，由DDR内存演化而来。LPDDR的架构和接口针对低功耗应用进行了专门优化，提供更窄的通道宽度、尺寸更小、工作电压更低和支持多种低功耗运行状态。因此，LPDDR产品主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等便携式消费电子。而LPDDR5则是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。
资料显示，与上一代LPDDR4相比，长鑫LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。长鑫存储LPDDR5芯片加入了RAS功能，通过内置纠错码（On-die ECC）等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。从产品应用和市场空间上看，LPDDR5芯片能够为其搭载的移动端电子设备带来更快的速度体验和更低的功耗消耗。
长鑫存储表示，其LPDDR5产品面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。
据了解，长鑫存储成立于2016年，总部位于安徽合肥，在合肥、北京建成12英寸晶圆厂并投产，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。公司作为一体化存储器制造公司，专注DRAM芯片设计、研发、生产和销售，已推出多款DRA商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。
在工业自动化、新能源储能及多节电池管理系统中，高精度电流检测是保障系统安全与能效的核心环节。传统检测方案常受限于共模电压范围窄、抗浪涌能力弱、温漂误差大等痛点。国产RSA240系列电流检测芯片的推出，以**-5V~100V超宽共模输入范围和0.1%级增益精度**，为高压场景提供了突破性解决方案。
在工业4.0浪潮推动下，液位测量作为过程控制的核心环节，其精度与可靠性直接影响化工、能源、汽车等关键领域的生产安全。传统霍尔传感器受限于功耗高、温漂大、响应慢等瓶颈，难以满足智能设备对实时性与稳定性的严苛要求。多维科技推出的TMR134x磁开关传感器芯片，通过隧道磁阻（TMR）技术突破传统局限，为高精度液位监测提供新一代解决方案。
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