Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件, 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

发布时间:2023-11-29 阅读量:740 来源: 我爱方案网 作者: Transphorm

加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 - 代表着下一代电源系统未来的,氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克股票代码:TGAN)近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN® FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧,为业界首个采用JEDEC标准(MO-332)TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统,TOLT封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。采用TOLT 封装,不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247插孔封装,还具有基于SMD的印刷电路板组装(PCBA)实现高效制造流程的额外优势。

 

TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 强大的高性能 650 V 常闭型 d-mode 氮化镓平台,该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻,从而效率优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。SuperGaN 平台的优势与 TOLT 封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合,为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体功率系统成本更低的电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。

 

Transphorm正在与全球多个高功率GaN合作伙伴展开合作,包括服务器和存储电源领域的领先客户,能源/微逆变器领域的全球领导者,创新型离网电源解决方案制造商,以及卫星通信领域的领军企业。

 

Transphorm 业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示:“TOLL 和 TOLT 这样的表面贴装器件具有降低内部电感,以及在制造过程中更简单的板载安装等诸多优势。TOLT 通过采用顶部散热来提供更灵活的整体热管理,具有类似插孔式的散热性能。这些器件通常用于中高功率系统应用,关键细分市场包括高性能计算(服务器、电信、人工智能电源)、可再生能源和工业、以及电动汽车等。目前,其中一些市场应用已采用了Transphorm的氮化镓技术。我们非常高兴能够通过TOLT SuperGaN 解决方案帮助客户实现额外的系统级优势。”

 

继最近推出三款新型TOLL FET 后,Transphorm发布该款TOLT FET新产品,进一步丰富了 Transphorm 的产品线,并彰显了Transphorm SuperGaN 平台采用不同封装形式器件“镓”驭全功率以支持客户应用的市场承诺。

 

器件规格


SuperGaN 器件凭藉其无与伦比的性能优势引领市场:

 

l 可靠性:FIT失效率低于0.05

l 栅极安全裕度:± 20 V

l 抗扰性:4 V

l 电阻温度系数(TCR)比 e-mode 常闭型氮化镓器件低 20%

l 驱动灵活性(可采用标准的市售硅器件驱动器) 

 

该650 V SuperGaN TOLT 封装器件稳健可靠,已通过 JEDEC 标准认证。由于常闭型 d-mode 平台是将GaN HEMT与一个集成型低电压硅 MOSFET结合,因此,SuperGaN FET 可以使用常用的市售栅极驱动器驱动,应用于各种硬开关和软开关 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓扑中,提高功率密度,并减少系统尺寸、重量和成本。

 

器件

尺寸(mm)

RDS(on) (mΩ) typ

RDS(on) (mΩ) max

Vth (V) typ

Id (25°C) (A) max

TP65H070G4RS

10 x 15

72

85

4

29

 


 

关于Transphorm


Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。

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