发布时间:2023-07-28 阅读量:7054 来源: 我爱方案网 作者: Emely
7月26日,大众汽车集团和小鹏汽车达成并且签订了长期合作协议,大众汽车集团将向小鹏汽车增资约7亿美元。与此同时,小鹏汽车的股价也应声大涨,创一年以来新高。
两项合作均将联合开发专属中国市场的电动智能联网(ICV)。根据合作协议,在合作初期阶段,大众和小鹏计划面向中国的中型车市场,共同开发两款大众汽车品牌的电动车型,这两款专属于中国市场的新车将补充MEB平台的产品组合,并计划于2026年走向市场。
此前,小鹏汽车董事长何小鹏表示:小鹏汽车目标2025年实现经营利润转正。小鹏在智能电车上投入了大量的研发费用和精力,此时与大众汽车的合作,证明了自己的能力,也得到了大众集团的认可和资金支持。与此同时,小鹏汽车在国际的影响力持续上升,有望推进全球化进程。
小鹏汽车的技术优势正是双方合作的基础。目前市面上大部分新能源汽车都是400V平台,在2021年小鹏发布了国内首款800V高压平台车型G9,拥有超高充电功率和出色的能耗水平。今年年初,小鹏汽车发布扶摇架构,该架构下车型将标配800伏高压碳化硅充电平台,采用CIB电池车身一体化技术,并具备高速和城市智能辅助驾驶能力。相较于400V电压平台,800V电压平台工作电流更小,可以节省线束体积、降低线路内阻损耗,提升功率密度和能量使用效率。
目前充电桩所采用的功率器件主要是IGBT和MOSFET,两者均为Si基产品,而充电桩向直流快充的发展,对功率器件提出了更高的要求,相比硅材料,SiC具备更高的带隙和击穿电压、更高的热导率、更低的本体迁移率以及更大的电子饱和速度,从而碳化硅器件具有耐高压、耐高温、导通损耗小、开关速度快等优势,更符合800V充电桩平台的需求,可以提升近30%的输出功率、降低约50%的损耗,并提升充电桩的稳定性。
如今越来越多的汽车企业向着800V高压平台进军,电源芯片的应用市场快速增长体现在无线充电中,800V高压技术带来的第一个直观感受就是充电速度快。近日上市的小鹏G6在配置上也是拉满,全系标配全域800V高压SIC碳化硅平台、3C电芯,并且配备双50W无线快充等,充电倍率相比于上一代充电技术提升50%。
电源管理芯片是电子设备的中心,在汽车领域中应用广泛,例如电动汽车电机、电池和电控的“三电”系统中,参与管理电池组和控制电池的能量输出和调节电机的转速等等,对汽车电动化进程至关重要。
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芯片推荐如下:
芯片HPM6200:是先楫半导体针对新能源、储能、高性能控制等应用市场推出的全新一代RISC-V内核芯片,HPM6200 100ps的高分辨率PWM、16bit ADC以及可编程逻辑阵列PLA,可以为新型的电源系统建设带来诸多可能。其中,100ps高精度PWM可以提高电源变换器的效率、功率密度及性价比;可单芯片实现多种电源拓扑和单芯片实现多轴电机控制;16位ADC可提高电流、电压等信号的采样精度;PLA可实现丰富、多逻辑的保护,并能独立于CPU运行,大大提高了产品的稳定性。
核心产品介绍如下:
1、CHPV-S600/S400B
方案应用:主回路分断
产品特点:陶瓷结构,安全可靠;带辅助触点;分断能力强;
技术参数:
触点负载:400A/600A 1000VDC
电气寿命:1000次(1000 VDC,400A)
线圈功耗:启动时55W保持时6W
分断电流:1000 VDC,2000A 1次
2、EC2-12NU
方案应用:充电桩内部信号检测;充电枪锁止
产品特点:体积小;两组转换触点并列使用,可靠
技术参数:
触点负载:1A 30VDC/250VAC
电气寿命:10W次;
线圈功耗:140W
3、CHDR-112D110LA系列
方案应用:40KW直流电源模块;20KW/40KW直流电源模块直流充电堆柔性分配
产品特点:双触点带灭弧结构,负载无极性;磁保持继电器带辅助触;抗短路电流10KA符合Class2等级
技术参数:
触点负载:125A 60VDC/80A 24VDC
电气寿命:≥6000次
线圈功耗:7.7W
触点间隙:>1.5MM
冲击电流:1KA 1MS
抗雷击浪涌电流:20KA Max.
4、CHMR-105A-THT,100
方案应用:直流充电桩绝缘检测
产品特点:价比高;交期好
技术参数:
触点负载:10mA 1500VDC
电气寿命:50000次
线圈功耗:313MW
接点间耐压3.5kV DC
最大电流:1A(DC/AC交流峰值)
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。