发布时间：2023-06-9 阅读量：810 来源: 我爱方案网整理 发布人: bebop
6月8日消息，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布，其最新的238层堆叠的NAND Flash芯片在2022年8月开发完成后，目前已经开始量产，并且产品兼容性正在与一家全球智能手机制造商进行测试当中。
据介绍，SK海力士238 层堆叠技术 NAND Flash芯片，与上一代 176层堆叠 NAND Flash芯片相比，最高传输速率提升了50%达2.4Gb/s，使得整体的平均读写速度提升了约20%，同时制造效率也提高了 34%，使得成本竞争力显著提升。
SK 海力士表示，最新的238层堆叠的NAND Flash芯片较上一代176层堆叠的产品在价格、性能和质量方面都有世界级的竞争力。SK 海力士预计，这些产品将在下半年推动公司获利的成长。
SK 海力士表示，采用238层堆叠技术的NAND Flash芯片已于5月投入量产，正在与一家全球智能手机制造商进行测试当中。一旦完成与全球智能手机制造商的产品兼容性测试，将开始为智能手机供应 238 层堆叠的 NAND Flash 芯片产品，并将该技术扩展到其产品组合，例如 PCIe 5.0 SSD 和大容量服务器 SSD 中。
SK 海力士 S238 NAND Flash 负责人 Jumsoo Kim 表示，我们将继续克服 NAND Flash 技术限制，并提高竞争力，以便在即将到来的市场反弹中，达成比其他任何人都更大的转变。
值得注意的是，早在去年7月底，美光已率先宣布量产232层堆叠的NAND Flash闪存芯片。去年12月，美光宣布基于其232层堆叠的NAND Flash闪存芯片的SSD模组——美光 2550 NVMe SSD 已正式向全球 PC OEM 客户出货，这也是全球首款采用 200 层堆叠以上 NAND Flash 的客户端 SSD，主要应用于主流笔记本电脑和桌面PC。
随着人工智能算力需求爆发式增长，高带宽内存（HBM）技术成为全球半导体巨头的必争之地。据韩国权威科技媒体ZDNet Korea披露，三星电子于2025年2月启动12层堆叠HBM3E内存的量产计划，试图通过超前布局争夺英伟达的AI芯片订单。然而，由于该产品尚未通过英伟达的质量认证，三星当前面临库存积压与市场窗口期缩短的双重挑战。
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随着工业控制系统向智能化、高集成化方向演进，国产MCU在实时通信、算力效率及成本控制等领域面临严峻挑战。先楫半导体推出的HPM5E00系列，凭借480MHz主频、EtherCAT协议深度集成及运动控制优化设计，成为工业自动化领域国产替代的标杆产品.该系列不仅延续了HPM6E00的高算力基因，更通过低功耗架构与紧凑封装实现三大技术升级，为工控、机器人等场景提供全新解决方案。
在全球人口突破85亿的背景下，粮食安全与农业可持续发展已成为各国战略重点。作为全球领先的半导体与电子元器件供应商，贸泽电子近日推出农业资源中心，系统性整合物联网（IoT）、人工智能与卫星遥感技术，为现代农业提供从数据采集到决策优化的全链条技术支持。
2025年5月7日，威世科技（Vishay Intertechnology）宣布推出全球首款符合AEC-Q100标准的矩形环境光传感器VEML4031X00，其采用4.38 mm×1.45 mm超薄表贴封装，厚度仅0.6 mm，专为汽车无边框中控显示器等空间受限场景设计。该产品集成环境光（ALS）与高灵敏度红外光电二极管，光谱响应范围0 lx至172,000 lx，解决了传统传感器在深色盖玻片后灵敏度不足的行业痛点。
