发布时间:2023-05-11 阅读量:931 来源: 我爱方案网 作者:
PD快充协议是一种高速充电技术,能够快速给移动设备充电,并且不会产生过热等安全问题。而这种协议需要配合芯片才能实现快速充电,因此,在选择PD快充协议芯片时需要根据具体的使用场景以及需求进行选型,骊微电子推出18W/20W/35W/45W/65W/100W常用pd协议芯片方案。
常用pd协议芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W选型
36W和36W以内单C、单PD的非标市场主推XPD317系列(无VBUS MOS),采用 SOT23-6 封装,集成了 USB Type-C、USB Power Delivery(PD3.0)、PPS 的多协议端口控制器,为 AC-DC 适配器、车载充电器等设备提供高性价比的 USB Type-C 端口充电解决方案。
36W和36W以内单C非标市场可选XPD318/319系列(无VBUS MOS)和XPD320系列(外置VBUS MOS),XPD320支持QC2.0/3.0/3.0+、AFC、FCP、SCP、PD3.0和PPS等快充协议,最大输出功率高至36W。支持过压/欠压保护,CC1/CC2/DP/DM 过压保护,采用ESOP8封装,为 AC-DC 适配器、车载充电器等设备提供高性价比的USB Type-C 端口充电解决方案。
65W和65W以内单C过认证市场可选XPD720/721系列(内置VBUS MOS),XPD720应用在单个USB端口充电设备,集成了10mΩ VBUS通路功率开关管和10mΩ电流检测电阻,兼容前两代产品XPD618和XPD718,无需修改设计,直接升级到20W配置。
65W和65W以内A+C(共享电源)过认证市场可选XPD738/730系列和XPD938系列XPD738USB 是Type-C PD 和 Type-A 双口控制器,集成了10mΩ VBUS通路功率开关管和10mΩ电流检测电阻,应用在1C1A双端口充电设备,在A口连接苹果充电线但未接入苹果手机时,C口仍然有快充。
65W和65W以内2A+C(共享电源)过认证市场可选XPD977系列集成 10mΩ VBUS 通路功率开关管和内部放电通路,节省了外围器件,可以轻松通过 USB PD 认证测试,为 AC-DC适配器、移动电源、车载充电器等设备提供完整的 Type-C 和 Type-A 三端口充电解决方案。
65W和65W以内多口互联市场可选XPD737系列+XPD767系列、XPD92C系列和XPD930系列,多口PD快充充电器已经成为了时下热门的充电配件,为多口充电器内部复杂的电路设计做减法,可应用于多口快充充电器、多口车充、多口移动电源等产品的开发。
100W和100W以内多口互联市场可选XPD911,集成了 XPD-LINKTM 互联通信技术。通过 XPD-LINKTM 互联功能,XPD911 可以简单灵活地应用在多个 Type-C 和 Type-A 端口的充电方案中,为 AC-DC 适配器、智能排插等设备提供完整的 Type-C 和 Type-A 双端口充电解决方案。
100W和100W以内双C市场可选XPD912系列,集成双路CV/CC控制环路,具有多重保护功能,外围只需少量元器件。一颗XPM912即可实现双C口充电解决方案。
100W和100W以内2A1C和1A1C市场可选XPD913系列,支持 USB Type-A 和 Type-C 多口工作模式, 集成同步开关降压控制器,内置功率 MOS,为 AC-DC 适配器、智能排插等设备提供完整的 Type-C 和 Type-A三端口充电解决方案。
选择PD快充协议芯片,需要根据不同的应用场景和需求进行选型,以保证芯片能够高效、稳定地充电,并且不会产生过热等安全问题。
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。
美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。
8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。
在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。