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Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP
发布时间:2023-03-27 阅读量:498 来源:我爱方案网 作者:

统级封装(SiP)氮化功率管可以USB-C PD适配器和其它低功耗用提供凑、具成本效益、快速面市的解决方案

Transphorm将在APEC2023上展出该产(展位#853)

Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP

加州戈利塔和台湾新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)与伟诠电子 (Weltrend Semiconductor Inc.,TWSE: 2436)今天宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化镓电源控制芯片。

伟诠电子是用于适配器USB PD的控制器IC的全球领导者之一,新推出的WT7162RHUG24A电源转换器控制芯片,设计用于为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其它智能设备充电的45至100瓦USB-C PD电源适配器。峰值功率效率超过93%。该器件的样品将在2023年第二季度推出。

Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP

位于台湾地区新竹科学园区的伟诠电子是一家领先的无晶圆厂半导体公司,专门从事混合信号/数字IC产品的规划、设计、测试、应用开发和分销,产品用于电源、电机控制、图像处理等多个应用领域。向市场推出该SiP新品,标志伟诠电子取得一项重大成就,新推出的GaN SiP展示了伟诠电子对AC-DC电源市场的承诺——使用Transphorm的SuperGaN®技术提供完整的系统级解决方案。

Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP

该新产品上市,也再一次证明Transphorm氮化镓器件的接口简易性和卓越性能。Transphorm将在2023年应用电力电子会议(APEC)首次展示这款伟诠电子的SiP(展位号为853)。两家公司还将在会议期间发布有关WTDB_008 65W USB PD电源适配器评估板的详细信息。

伟诠电子总经理林崇焘(Tony Lin)表示:“WT7162RHUG24A是业界首款公开发布的采用Transphorm GaN的SiP。能帮助制造商开发出成本更低的系统解决方案,因为此解决方案需要的器件更少,使用更小的PCB,还能减少系统开发时间。诸多优势可以高效地帮助适配器制造商消除设计障碍。值得注意的是,凭借此新产品,伟诠电子可以进入一个新的市场。这是我们的PWM控制器有史以来的首个SiP,证明了伟诠电子对支持大批量增长领域的承诺。而且,通过与GaN FET的集成提高了性能输出水平。这是伟诠电子、Transphorm和我们共同客户的一次共赢。”

Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN SiP

Transphorm总裁兼首席运营官Primit Parikh表示:“适配器快充市场是目前氮化镓应用的一个快速增长领域。我们正在扩大市场份额,并继续创新。最近推出的这款GaN SiP,使Transphorm的GaN器件更易使用。我们很高兴能将业界领先的SuperGaN平台与伟诠电子的创新型适配器电源控制器技术结合起来。伟诠电子提供了一个领先的功率转换平台,可以为适配器/快速充电器客户打造一个简单易用的解决方案,双方可以利用这个平台加速赢得这个市场。”

WT7162RHUG24A的规格和特点

新推出的SiP集成了伟诠电子的WT7162RHSG08多模反激式PWM控制器和Transphorm的240毫欧650伏SuperGaN® FET。此表面贴装器件采用24引脚8x8 QFN封装,可减少印刷电路板尺寸。其它主要规格包括:

· 峰值功率效率:> 93%

· 功率密度:26 W/in3

· 宽输出电压操作:USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V

· 最大频率:180kHz

· 目标拓扑结构:QR反激模式/谷值开关多模操作

 

主要特点包括:

特点

优势

可调节的GaN FET开/关速度

提高EMI测试和解决方案的灵活性

不需要外部VDD线性稳压器电路

减少元件数量

减少封装寄生效应(电感、电阻、电容)

最大限度提高芯片性能

直接从交流主电压的相线/中性线拉出700V超高压启动电流

减少元件数量

8x8 QFN封装尽管增加了PWM

适用于窄小空间,减小系统占地面积

 

标应用和供货信

WT7162RHUG24A SiP适用于高性能、小体积USB-C电源适配器,可用于移动/物联网设备,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、耳机、无人机、扬声器、相机等。

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。


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