发布时间:2023-01-30 阅读量:672 来源: 我爱方案网整理 发布人: Aurora
节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6x5F封装减少63%,有助于减少元器件数量并简化设计
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年1月30日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT,将高边和低边TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应用功率转换,在提高能效的同时,减少元器件数量并简化设计。
日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件,节省50%基板空间,同时占位面积比PowerPAIR 6x5F封装双片MOSFET减小63%。MOSFET为USB-C电源笔记本电脑、服务器、直流冷却风扇和通信设备同步降压转换器、负载点(POL)转换电路和DC/DC模块设计人员提供节省空间解决方案。这些应用中,SiZF5302DT高低边MOSFET提供了50%占空比和出色能效的优质效果,特别是在1 A到4 A电流条件下。而SiZF5300DT则是12 A到15 A重载的理想解决方案。
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技术实现优异导通电阻和栅极电荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型导通电阻分别为2.02 mW和2.93 mW,SiZF5302DT相同条件下导通电阻分别为2.7 mW和4.4 mW。两款MOSFET 4.5 V条件下典型栅极电荷分别为9.5 nC和 6.7 nC。超低导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM),比相似导通电阻的前代解决方案低35 %。高频开关应用效率提高2%,100 W能效达到98%。
与前代解决方案对比
技术规格 / 器件编号 | SiZF5302DT (Gen V) | 前代解决方案 (Gen IV) | SiZF5302DT对比前代解决方案 |
封装 | PowerPAIR 3x3FS | PowerPAIR 6x5F | 63 %↓ |
VDS (V) | 30 | 30 | - |
RDS(ON) 典型值 @ 4.5 V (mW) | 4.4 (通道1) 4.4 (通道2) | 4.0 (通道1) 1.2 (通道2) | - |
Qg @ 4.5 V (nC) | 6.7 (通道1) 6.7 (通道2) | 11 (通道1) 46 (通道2) | - |
FOM (mΩ*nC) | 29 (通道1) 29 (通道2) | 44 (通道1) 54 (通道2) | 35 % ↓ 46 % ↓ |
能效 @ 20 VIN / 12.5 VOUT / 800 kHZ / 100 W | 98 % | 96 % | 2 %↑ |
器件采用倒装芯片技术增强散热能力,独特的引脚配置有助于简化PCB布局,支持缩短开关回路,从而减小寄生电感。SiZF5300DT和SiZF5302DT经过100% Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
器件规格表:
产品编号 | SiZF5300DT | SiZF5302DT | |
VDS (V) | 30 | 30 | |
VGS (V) | + 16 / -12 | + 16 / -12 | |
RDS(on) 典型值 (mΩ) @ | 10 V | 2.02 | 2.7 |
4.5 V | 2.93 | 4.4 | |
Qg (典型值) @ 4.5 V (nC) | 9.5 | 6.7 | |
ID (A) @ | TA = 25 °C | 125 | 100 |
TA = 70 °C | 100 | 80 |
SiZF5300DT和SiZF5302DT 现可提供样品并已量产。
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。
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