发布时间:2022-11-4 阅读量:829 来源: 我爱方案网整理 发布人: Aurora
全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo和半导体晶圆制造商 SK Siltron CSS 宣布,他们已经完成了一项多年碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。
该协议将促进国内半导体供应链的弹性和更大的能力,以支持对先进碳化硅解决方案快速增长的需求,特别是在汽车市场。随着客户采用 Qorvo 行业领先的第 4 代 SiC FET 解决方案,该协议还将为最终用户客户提供一定程度的保护和信心。
与传统硅相比,SiC 器件在处理高功率和导热方面更有效。当用于电动汽车 (EV) 系统组件时,可以更有效地将电能从电池传输到电机,从而将 EV 的行驶里程增加 5% 至 10%。
在2021年,射频解决方案的领先供应商Qorvo宣布,公司已收购位于新泽西州普林斯顿的 United SiliconCarbide (UnitedSiC),一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商。据介绍,收购 United Silicon Carbide 将 Qorvo 的影响力扩大到快速增长的电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场。
据报道,在收购之后,UnitedSilicon Carbide 将成为 Qorvo 基础设施和国防产品 (IDP) 业务的一部分,由 Chris Dries 博士领导,Chris Dries 博士曾任 United Silicon Carbide 总裁兼首席执行官,现在是 Qorvo 功率器件解决方案的总经理。
时任Qorvo IDP 总裁Philip Chesley 表示:“UnitedSiC加入我们的 IDP 事业部,显著扩大了我们在高功率应用领域的市场机会。此次收购使 Qorvo 能够提供高价值、一流的智能电源解决方案,涵盖电源转换、运动控制和电路保护应用。”
Dries 博士表示:“作为 Qorvo 的一部分,我们的团队很高兴能够扩展我们的 SiC 产品组合,并继续以速度和规模构建业务,努力通过业界最高性能的设备加速 SiC 的采用。我们的 SiC 技术,加上 Qorvo 互补的可编程电源管理产品和世界一流的供应链能力,使我们能够在高级应用中提供卓越的电源效率水平。”
当时新闻稿指出,United Silicon Carbide 的产品组合现在涵盖 80 多种 SiC FET、JFET 和肖特基二极管器件。基于独特的共源共栅配置,最近发布的第 4 代 SiC FET 的额定电压为行业领先的 750V 和 5.9 毫欧RDS(on),实现了对 EV 充电器、DC-DC 转换器和牵引驱动器至关重要的 SiC 效率和性能的新水平,以及电信/服务器电源、变速电机驱动器和太阳能光伏 (PV) 逆变器。
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