三星代工计划到2025 年开始使用其下一代 2nm 制造工艺制造芯片

发布时间:2022-10-9 阅读量:720 来源: 我爱方案网整理 发布人: Aurora

三星本周概述了其涵盖下一代制造工艺以及扩大生产能力的长期路线图。路线图表明该公司没有放缓开发和部署新制造技术以及扩大制造能力以满足未来对先进芯片的需求的计划。   

 

据日经新闻报道, 三星代工计划到2025 年开始使用其下一代 2nm 制造工艺制造芯片,到 2027 年开始使用其 1.4nm 生产节点。今年早些时候,三星开始使用其第一代 3nm 制造技术(也称为3GAEgate-all-around early)制造半导体。2024 年,该公司将采用其第二代 3nm 节点(也称为 3GAP,或gate-all-around plus)。     

 

三星代工计划到2025 年开始使用其下一代 2nm 制造工艺制造芯片

 

由于开发新的制造工艺并将其用于量产变得越来越困难,三星的 2nm(或 20 埃)节点将在大约两年内准备就绪也就不足为奇了。根据目前的路线图,当三星准备好其 2nm 技术时,其竞争对手英特尔将在 2024 年中期开始使用其 20A 节点,并在 2025 年中期开始使用 18A 节点。与此同时,台积电计划在 2025 年下半年开始使用其 2nm 节点进行大批量生产,并在 2026 年初交付第一批芯片。   

 

近年来,三星在新晶圆厂投入巨资,旨在为其三星代工客户生产更先进的片上系统以及复杂的 3D NAND 和 DRAM 芯片。几年来,该公司在先进的半导体生产能力上花费的资金几乎比业内任何公司都多——而且它显然没有放缓投资的计划。   

 

据路透社援引该公司官员的报道称,三星计划到 2027 年将其先进芯片的产能增加两倍 。三星没有透露确切的目标以及它认为的先进产能,但可以肯定的是,该公司将继续投资于新的半导体产能。   

 

三星不仅需要为无晶圆厂客户制造领先的芯片,还需要为自己的产品制造领先的芯片,包括消费电子汽车应用、5G 和 6G 连接以及其他产品。    

 

为了满足对其自有和第三方芯片的需求,三星正在德克萨斯州泰勒附近建造全新的全新晶圆厂,并计划扩大其在韩国的生产能力。据彭博社援引该公司官员的一份报告称,德克萨斯州的工厂预计将于 2024 年开始使用该公司的 3nm 级节点之一进行大批量生产 

 

关于我爱方案网

 

我爱方案网是一个电子方案开发供应链平台,提供从找方案到研发采购的全链条服务。找方案,上我爱方案网!在方案超市找到合适的方案就可以直接买,没有找到就到快包定制开发。我爱方案网积累了一大批方案商和企业开发资源,能提供标准的模块和核心板以及定制开发服务,按要求交付PCBA、整机产品、软件或IoT系统。更多信息,敬请访问http://www.52solution.com


相关资讯
晶振行业必备术语手册:工程师必收藏(下)

在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。

晶振行业必备术语手册:工程师必收藏(上)

在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。

3点区分TCXO温补晶振与OCXO恒温晶振

电路板中常用到恒温与温补这两种晶振,恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器,既有源晶振,所以组成的振荡电路都需要电源加入才能工作

体积缩小58%!Vishay发布185℃耐受汽车级TVS解决方案​

汽车电子系统日益复杂,尤其在48V架构、ADAS与电控系统普及的当下,对瞬态电压抑制器(TVS)的功率密度、高温耐受性及小型化提出了严苛挑战。传统大功率TVS往往体积庞大,难以适应紧凑的ECU布局。威世科技(Vishay)日前推出的T15BxxA/T15BxxCA系列PAR® TVS,以创新封装与卓越性能直面行业痛点,为下一代汽车设计注入强大保护能力。

SK海力士突破6层EUV光刻技术,1c DRAM制程引领高性能内存新时代

韩国半导体巨头SK海力士近日在DRAM制造领域实现重大技术飞跃。据ZDNet Korea报道,该公司首次在其1c制程节点中成功应用6层EUV(极紫外)光刻技术,显著提升了DDR5与HBM(高带宽内存)产品的性能、密度及良率,进一步巩固其在先进内存市场的领导地位。