新能源汽车引领功率半导体市场增长

据理想官微消息，8月24日，理想汽车功率半导体研发及生产基地在江苏苏州高新区正式启动建设，这标志着理想汽车正式启动下一代高压电驱动技术的自主产业链布局。  

理想汽车功率半导体研发及生产基地是主要专注于第三代半导体碳化硅车规功率模块的自主研发及生产，旨在打造汽车专用功率模块的自主设计和生产制造能力。该生产基地由理想汽车与国内半导体领先企业湖南三安半导体共同出资组建的苏州斯科半导体公司打造，预计2022年内竣工后进入设备安装和调试阶段，2023年上半年启动样品试制，2024年正式投产后预计产能将逐步提升并最终达到240万只碳化硅半桥功率模块的年生产能力。  

为确保超快充纯电车型的产品力，该系列车型将搭载基于碳化硅功率模块的800V高压电驱动系统，充分发挥第三代半导体耐高压、耐高温的特性，实现功率密度和系统效率等性能的大幅提升。  

理想汽车联合创始人兼总裁沈亚楠说“我们非常高兴能够和湖南三安半导体一起布局第三代半导体这一先进技术领域。基于独特的技术优势，第三代半导体未来有望在新能源汽车领域快速渗透应用。自主研发和生产第三代半导体碳化硅车规功率模块，将有助于确立理想汽车的技术和产品领先优势，同时有效确保量产供应。”  

湖南三安半导体是中国首条碳化硅垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式。对于本次合作，湖南三安半导体董事长林志东表示：“理想汽车作为造车新势力的佼佼者，富有远见地布局第三代功率半导体。我们非常荣幸能与理想汽车一起探索全新的合作模式，我们将充分发挥湖南三安半导体在碳化硅从晶体生长、衬底制备、外延生长、芯片制程、封装测试全产业链垂直整合和大规模制造的经验与优势，为广大的新能源车主提供更快的充电体验、更高效的动力输出和更长的续航里程，推动新能源电驱动技术创新，助力低碳出行。”  

新能源汽车引领功率半导体市场增长

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。

当今的功率半导体市场由硅基器件主导，其中包括功率MOSFET和IGBT。国内已经出现了多家MOSFET供应商，包括华润微电子、士兰微、扬杰科技、华微、新洁能、安世半导体、东微半导体、芯导科技、芯派科技、捷捷微电等；在IGBT方面，士兰微、比亚迪半导体、斯达半导体、时代电气、华大半导体也均有所布局。  

第三代半导体碳化硅由于其性能的优越性，在5G、电动汽车、光伏等各个领域均表现出更加优异的性能，成为功率半导体的热门。  

2018年，特斯拉正式扣响了碳化硅上车的“发令枪”。特斯拉率先在Model 3电驱主逆变器上，采用了意法半导体供应的650V 碳化硅 MOSFET器件。目前已应用至特斯拉全系车型逆变器上。  

2020年8月，比亚迪“汉”成为启用碳化硅功率模块首款车型。2020年底，比亚迪宣布自研碳化硅芯片，预计到2023年旗下电动汽车将实现碳化硅对硅基IGBT的全面替换。  

2020年12月，博世宣布，开始量产车用碳化硅功率半导体，博世成为第一家自主制造生产碳化硅器件的汽车组件公司。根据相关报道，截止2021年，博世已在德国Reutlingen晶圆工厂增建1000平方米无尘车间，并预计2023年底新建3000平方米无尘车间，用于碳化硅半导体生产。  

2021年4月江淮汽车与博世动力总成系统中国区在上海签订了碳化硅逆变器方面的战略协议。  

2021年8月，吉利汽车宣布采用ROHM碳化硅器件。将利用ROHM的先进碳化硅功率解决方案，开发高效电控系统和车载充电系统，以延长电动汽车的续航里程，降低电池成本并缩短充电时间。  

Omdia预计分立碳化硅功率器件将占第三代半导体器件的主要份额。未来规模扩张速度将不断加快，预计从2021年到2024年将增加10亿美元，年均增加3.3亿美元，从2024年到2029年将增加30亿美元，年均增加6亿美元。

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