发布时间：2022-05-18 阅读量：931 来源: 我爱方案网整理 发布人: Aurora
据报道，富士康计划在马来西亚建立一座芯片制造工厂，以满足电动汽车用半导体的旺盛需求。
今日，富士康通过一家子公司，与马来西亚科技公司 Dagang NeXchange Berhad 签署了一份谅解备忘录。双方拟成立了一家合资企业，在马来西亚建造和运营一座 12 英寸芯片工厂。
此举表明，富士康在半导体领域的扩张又向前迈进了一大步，也是推进其电动汽车雄心的关键一步。富士康拥有 Dagang NeXchange Berhad 约 5% 的股份，并在董事会拥有一个席位。这也意味着，富士康间接控制了芯片制造商 Silterra 在马来西亚的 8 英寸芯片工厂。Silterra 是 Dagang NeXchange Berhad 的子公司。
在马来西亚签署这份备忘录之前，富士康今年 2 月曾宣布，将与印度自然资源集团韦丹塔（Vedanta）在印度建立一家芯片工厂。去年，富士康还收购了台湾地区新竹市的一家芯片厂，以开发汽车用碳化硅芯片。
计划中的马来西亚工厂预计每月生产 4 万片晶圆，包括 28 纳米和 40 纳米工艺，这也是微控制器、传感器、驱动器集成电路和连接相关芯片（包括 Wifi 和蓝牙）最广泛使用的芯片生产技术。当前，台积电、联华电子（United MicroElectronics Corp）和中芯国际等主要芯片制造商都在扩大 28 纳米芯片的产能。
马来西亚工厂的确切位置和投资规模尚未公布。但芯片行业高管预计，根据计划中的产能和涉及的技术，该项目的资本支出可能在 30 亿至 50 亿美元。
如今，东南亚已经成为芯片制造商扩大产能的热门目的地。全球第三大芯片代工厂商格罗方德（GlobalFoundries）正斥资 40 亿美元在新加坡扩大产能，第四大芯片代工厂商联华电子最近宣布，将斥资 50 亿美元在新加坡再建一座工厂。
与此同时，欧洲最大的芯片制造商英飞凌（Infineon）正投资 20 亿欧元，扩大其在马来西亚库利姆（Kulim）的制造工厂，生产电动汽车的关键部件“功率半导体”。
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纳芯微电子最新推出的NSD2622N是一款针对增强型氮化镓（E-mode GaN）功率器件优化的高压半桥驱动芯片。该芯片通过创新性地集成正负压稳压电路（可调5V-6.5V正压与固定-2.5V负压）与高可靠性电容隔离技术，完美解决了GaN器件在高压大功率场景下易受串扰误导通、驱动电路设计复杂等核心痛点。其支持自举供电、超强200V/ns dv/dt抗扰能力以及2A/-4A峰值驱动电流，显著简化了系统设计，提升了电源效率和可靠性，为人工智能数据中心电源、光伏微型逆变器、车载充电机等高增长领域提供了极具竞争力的驱动解决方案。
在“双碳”目标驱动下，光伏组件功率持续提升（2025年主流组件功率突破700W），对旁路二极管的性能要求显著提高。华润微电子功率器件事业群（PDBG）基于肖特基二极管领域的技术积累，推出第二代180mil TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）器件。该产品通过优化正向压降（VF）、反向漏电流（IR） 及高温工作特性，解决了高功率组件在热斑效应、高温环境下的可靠性痛点，目前已向天合、晶澳、晶科等头部光伏企业批量供货。
全球智能手机巨头三星电子正积极推动其人工智能服务多元化战略。权威消息显示，该公司已进入与美国AI搜索新锐Perplexity深度合作的最终谈判阶段，计划在明年初发布的Galaxy S26系列中整合其尖端技术。此举标志着消费电子行业头部玩家正加速构建独立于传统搜索引擎巨头的AI生态体系。
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