发布时间:2022-05-6 阅读量:2009 来源: 我爱方案网整理 发布人: Aurora
高真空电子管之中,因为大电流而导致的打火现象是比较常见的。比如一些直热整流管整流的机器,滤波电容比较大的。开机以后,有时候,会出现屏极和阴极之间的打火。而电子管的工作电压远低于静电导致打火的电压,这就是和氧化物阴极有关。
刚开始,直热管的灯丝还没有热透,发射不均匀,有些温度较高的部分(比如灯丝中部)电子发射较强,而另外一些部分(下引出线或者顶部吊钩部分)因为散热关系,温度要低一些,电子发射较差。而此刻,滤波电容的两端电压很低,电流比较大,很大的电流全部是从那很小的发射较强的部分发射的,会导致这部分温度变得很高,高温导致电子发生更加强,于是此部分的电流会增加的很快,同时高温会导致氧化物的蒸发,产生一些等离子状态的气体,这些气体导电被电压击穿,而产生了打火现象。
事实上,如果旁热镍核心的阴极在先有高压的状态再加热灯丝时候,问题会更加严重。其机理是直热阴极中的钨在高温会和氧化物反应,生成一些钨酸化合物,这种物质导致氧化物阴极的逸出功变高,从而略微减低一些恶性循环。在旁热阴极的镍核心中,镍和氧化物不会出现像钨那样的优点,所以理论上打火问题可能更加严重。但是好在,旁热氧化物阴极的热丝加热要比直热阴极均匀,这种现象比较少见。不过一定要切忌在开高压以后,再加灯丝。曾经看到有的人想当然的用控制整流管灯丝的办法来开启高压,这显然不可行。
在微波领域应用的检波管,需要很小的电子飞跃时间,我们一般不考虑此项。但是,电子管的极间电容要大于点接触晶体管的结电容。但是中频的频率比较低,这项参数我们也可不记。但是理论上,半导体器件的结电容会随着P-N结电压的改变而改变,但是电子管不会。如果吹毛求疵的话,用晶体管会影响到中频谐振曲线,其实影响之细微恐怕用精密的仪器也不容易测量。此项比较中,二者没有不同。
因为锗管反向电阻通常要低一些,电子管收音机中的中频变压器和检波负载都很高,所以微弱的反向漏电会影响到中频的谐振曲线。需要选择良好的优质锗二极管或者干脆用硅二极管也好。如果所使用的半导体二极管不好,那么的确不如用电子管来的可靠。
反向耐压或许也要考虑,管子反向耐压不是很高,如果用于多级中频放大的接收机中有击穿的可能。电子管的反向电压通常都很高,这个因素不用考虑。工作温度或许也要考虑,锗器件是不耐高温的,硅器件要好许多。在高温下,电子管要稳定一些。使用寿命或许也要考虑。固体器件寿命极长,但是电子管就有更换的必要。阴极特性不良好的管子工作效率很低下,尤其在作检波使用。在普通的电子管收音机中使用晶体管或者电子管检波都可以,晶体管使用优良的锗器件或者硅器件都可以。
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