ADI浪涌抑制器——为产品的可靠运行保驾护航

发布时间:2021-12-21 阅读量:1793 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网汇编

一、复杂的电子环境


汽车、工业和航空电子设备所处的供电环境非常复杂,在这种恶劣的供电环境中运行,需要具备对抗各种浪涌伤害的能力。以汽车电子系统供电应用为例,该系统不但需要满足高可靠性要求,还需要应对相对不太稳定的电池电压,具有一定挑战性;与车辆电池连接的电子和机械系统的差异性,也可能导致标称12 V电源出现大幅电压偏移。


事实上,在一定时间段内,12 V电源的变化范围为–14 V至+35 V,且可能出现+150 V至–220 V的电压峰值。这种很高的瞬态电压在汽车和工业系统是常见的,可以持久从微秒到几百毫秒,这将带来巨大的能量。这其中有些浪涌和瞬变在日常使用中出现,其他则是因为故障或人为错误导致。


无论起因为何,它们对汽车电子系统造成的损害难以诊断,修复成本也很高昂。为避免出现故障风险,系统内的电子器件,要么本身必须具备承受这些浪涌的能力,要么就必须被谨慎得保护起来。


图片1.png

图1 工业现场常见的浪涌形式


二、传统的应对方式


传统的过电压(OV)和过流(OC)保护系统往往包括:用于过滤低能量尖峰的电容器和电感、用于过电压保护的瞬态电压抑制器(TVS)、用于直流过流保护的保险丝、用于电池反向保护的系列二极管等。


图片2.png

图2 传统保护架构


尽管这些器件也在不断改进,但这些分立的解决方案体积庞大、不够精密,并且在持续故障期间会烧断保险丝,可能引起以下这些更大范围的停机和故障:


(1)吸收同样的能量,分立器件需要更大的体积。

(2)参数离散,例如同样是SMB封装的78V TVS,其齐纳击穿电压的范围可达1V。

(3)持续或直流的瞬变,可能会烧断保险丝或TVS,需要人工维修。

(4)用于反向保护而串联在功率通路上的二极管,会增加损耗并且带来热的问题。


三、ADI的革新技术——SURGE STOPPER


技术型授权代理商Excelpoint世健的工程师Alex Yang介绍了ADI的革新技术——SURGE STOPPER,SURGE STOPPER能够实现怎样的功能呢?


图片3.png

图3 浪涌抑制器在汽车中的应用


其功能的核心,就是能够保护负载端的电子系统免受高压冲击。并且在电涌施加在系统前端时,能够确保系统不间断运行。当系统的前端供电出现持续的或是直流故障时,能够断开负载连接,直至前端供电重新正常,保护系统自动恢复供电。另一方面,假如后级出现故障,例如过载和短路,那么SURGE STOPPER也同样可以保护前端供电不会被故障的负载所拖垮,可以干净利落地切断故障通道直至其恢复正常。


在实现核心功能的基础上,SURGE STOPPER在设计中考虑了很多细节。例如,工程师可以对嵌位电压进行高精度的微调,而不需要被动地去TVS选型表中选出最接近自己需求的器件。这样既便于工程师设计的更改和迭代,也可以最大限度地减少过度设计,降低成本。


根据市场需求,ADI革新性地针对浪涌问题研发了三类产品,包括:线性浪涌抑制器,开关浪涌抑制器,以及防护控制器。除此之外,ADI仍在不断尝试用新的思路解决浪涌问题。


线性浪涌抑制器


在正常运行期间,一个线性浪涌抑制器完全打开MOSFET的沟道,为负载电流提供一个低电阻路径。


当输入电源电压出现波动时,输出电压会被线性地调节到一个由电阻分压器设置的安全电压,从而实现保护后级负载电路的目的。


在保护状态下,后级电路会保持工作状态。


图片4.png

图4 线性浪涌抑制器


开关浪涌抑制器


在正常运行期间,开关浪涌抑制器完全打开外部MOSFET,让功率顺利通过保护级,从而为后级负载供电。


当输入电压浪涌发生时,立刻切换工作模式,将外部MOSFET作为一个高效率的BUCK稳压器的一部分,通过限制输出电压和电流来保护关键的下游组件。


在保护状态下,后级电路会保持工作状态。


图片5.png

图5 开关浪涌抑制器


保护控制器


保护控制器在供电电压出现异常时立即断开连接,从而达到保护后级电路的目的。


在保护状态下,后级电路会停止工作。


以LTC4368为例,它可以实现过压(OV)、欠压(UV)、过流(OC)、反向输入(RI)四种保护,基本覆盖了应用现场会出现的各种工况,为后级电路提供了完善的保护解决方案。


图片6.png

图6 LTC4368框图


四、产品举例


Alex分享了ADI的一款线性浪涌抑制器LT4363。


图片7.png

图7 LT4363的电路架构


LT4363简介


它能通过控制一个外部N沟道MOSFET的栅极,以在过压过程中(比如:汽车应用中的负载突降情况)调节输出电压。输出被限制在一个安全的数值上,从而允许负载持续运作。


LT4363还监视SNS和OUT引脚之间的压降,以防止遭受过流故障的影响。


不管在哪种故障条件下,定时器的起动均与 MOSFET 应力成反比。在定时器终止操作之前,FLT 引脚将被拉至低电平,以发出“即将断电”的警告。如果该条件一直持续,则 MOSFET 将关断。在复位之前,LT4363-1 保持关断,而LT4363-2则在一个冷却周期之后重新起动。


两个高精度比较器能监视输入电源的过压(OV)和欠压(UV)情况。当电压低于UV门限时,外部MOSFET保持关断状态。假如输入电源电压高于OV门限,则不允许MOSFET重新接通。可以采用背对背MOSFET来代替肖特基二极管以提供反向输入保护,从而减少压降和功率损失。一个停机引脚负责将停机期间的静态电流减小至7μA以下。


设计要点


过压故障


在过压情况发生时,LT4363会通过控制MOSFET栅极电压,使得MOSFET工作在可 变电阻区,以保证输出电压采样引脚FB上的电压维持在1.275V。从而达到,将电压嵌位在我们所设定的电压上的目的。同时,如果过电压现象持续存在,则定时器会控制MOSFET关闭。


过流故障


当出现短路或过流情况,LT4363会控制GATE引脚,以限制SNS和OUT引脚之间电流检测电压为50 mV。在输出严重短路的情况下(一般指输出电压低于2V),电流检测门限会由原来的50 mV降低至25mV,以降低MOSFET上的功率应力。如果故障仍然持续,则定时器会控制MOSFET关闭。


MOSFET的选型


LT4363通过驱动一个N沟道MOSFET来导电负载电流。MOSFET的重要参数是导通电阻RDS(ON),漏源极电压的最大值V(BR)DSS、栅极阈值电压V(BR)GS以及SOA。


V(BR)DSS漏源极电压的最大值:


V(BR)DSS漏源极电压的最大值必须高于最高电源电压。如果在出现输出短路接地或在过压事件期间,MOSFET的源漏极会承受全部供电电压。


V(BR)GS栅极驱动电压:


对于VCC供电在9V以上的应用,通用型的所需的栅极驱动电压范围在10V和16V之间;对于VCC供电在9V以下的应用,N沟道MOSFET的栅极驱动电压,不能低于4.5V。


MOSFET的SOA:


SOA(Safe Operation Area)是所有MOSFET中的一个参数,以图标形式体现在规格书中。其中体现出相关联的三个参数的关系:Vds、Id,以及时间T。以典型应用的中的N-MOSFET:FDB33N25为例:


图片8.png

图8 场效应管FDB33N25 的SOA曲线


在选择MOSFET的SOA时,必须考虑所有故障条件下的情况;


在正常工作中,沟道是完全开着的,所以损耗在MOSFET上的功率非常小;


在出现过压或是过流故障时,GATE引脚就会开始控制MOSFET上DS两端所承受的电压或是流过MOSFET的电流。此时高电压和大电流会同时存在于MOSFET当中,因此必须谨慎地依照SOA数据来确定故障定时器的设置。


五、结语


LT4363只是ADI众多浪涌抑制控制器系列中的一款,在汽车、工业等复杂供电环境中,世健提供的ADI浪涌抑制器能够帮助产品抵御恶劣的供电环境,让产品具备对抗各种浪涌伤害的能力,为产品的可靠运行保驾护航。


相关资讯
日系晶振平替方案!YXC国产温补晶振交期缩短50%

在高精度雷达和导航应用领域中,时钟稳定性和精准定位是两大关键因素。由于雷达系统需要精确测量目标的距离、速度和方位,而导航系统则要求高精度地确定位置和规划路径,因此这些应用都对时钟信号的精度提出了极高要求。

芯控未来:破局AI时代的触觉交互密码

当指尖划过屏幕成为数字时代的基础语言,触控技术正在书写人机交互的新篇章。Canalys最新数据显示,全球PC市场在2024年实现3.9%的企稳增长后,2025年将迎来AI PC换机潮与Windows 10停服的双重催化,预计触控设备市场规模将突破百亿美元。在这场交互革命中,触控板已从外围配件进化为生产力核心组件——更精准的轨迹捕捉、更具实感的力度反馈、更智慧的生物识别,正在重新定义"指尖生产力"的边界。兆易创新凭借在电容触控领域十余年的技术积淀,以GSM3765/3766芯片组为支点,撬动这场触觉体验的全面升级。

工业5.0时代,AMR如何实现人机共舞?解析安森美的安全设计密码

在工业4.0向工业5.0跨越的进程中,自主移动机器人(AMR)正从“效率工具”蜕变为“智慧伙伴”。随着制造业对“以人为本”和“可持续性”的追求升级,AMR的设计核心已从单纯的自动化转向安全性与人机协作的深度融合。然而,高速移动的机械臂、复杂环境中的动态障碍物,以及突发外力冲击,仍对工人安全和设备稳定性构成挑战。如何在提升生产力的同时,让AMR像人类一样“感知风险、快速决策”?安森美(onsemi)通过传感、运动控制与智能照明的系统性创新,为这一难题提供了前瞻性答案。

气压感知破局者:兆易创新以“3高1低1优”战略重塑MEMS传感器生态

在万物互联的时代,传感器如同数字世界的“末梢神经”,悄然推动着智能生活的每一次革新。作为MEMS气压传感器领域的革新力量,兆易创新正以颠覆性技术突破行业边界——从实现水下100米精准测量的防水型GDY1122,到功耗低至微安级的节能标杆GDY1121,其产品矩阵以“高精度、高集成、高灵敏度”的硬核实力,攻克复杂环境下的感知难题。在慕尼黑上海电子展的聚光灯下,这家中国芯片企业不仅展示了10ATM防水等级的尖端方案,更通过“3高1低1优”战略,将MEMS传感器推向智能穿戴、工业监测、应急救援等领域的核心舞台。

知冷知热,更知“芯”:TCXO让时钟信号无惧温度挑战

在各种电子设备中,晶振作为时钟信号的核心元件,其精度直接决定了系统的稳定性。由于石英晶体及周边电路元件受温度变化影响会发生热膨胀和参数漂移,晶振的频率往往随温度波动而偏移,从而影响整体性能。