发布时间：2021-12-8 阅读量：911 来源: PI 发布人: Cole
深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations今日推出高度集成的InnoSwitch3-TN系列恒压/恒流离线反激式开关IC。InnoSwitch3-TN IC采用符合安规标准的薄型MinSOP-16A封装，并且内部集成725V初级MOSFET、初次级间隔离的反馈机制、同步整流和次级侧控制，可简化电源设计，非常适合高达21W的家电和工业辅助电源应用。
Power Integrations资深产品推广经理Silvestro Fimiani表示：“我们新的InnoSwitch3-TN器件支持智能连接电器所需的高输出电流应用，效率高达90%。而传统方案，如降压型变换器的效率通常低于60%。InnoSwitch3-TN IC集成了所有反馈元件，同时支持隔离、非隔离、单路输出和多路输出设计，可实现最紧凑、最灵活的辅助电源解决方案。”
先进的InnoSwitch3-TN反激式控制器可在整个负载范围内提供恒定的效率，并且空载功耗低于5mW。FluxLink通信技术提供的灵活性意味着可以轻松实现正负输出。InnoSwitch3-TNIC可用于其中一路为5V输出的电源，可以输出两路正电压，或者同时具有正负电压输出，无需任何外围反馈元件。
符合安规标准的FluxLink技术也可确保提供可靠的同步整流和精确的恒压恒流输出。SRMOSFET的低正向压降则可确保出色的交叉调整率性能。新器件具备完善的安全功能，其中包括输出过流和过温保护。由于InnoSwitch3-TN采用薄型MinSOP封装，且整个电源所需外围元件数目非常少，使得InnoSwitch3-TN成为紧凑型电源方案的理想选。
国际半导体产业协会（SEMI）最新报告指出，生成式AI需求的爆发正推动全球芯片制造产能加速扩张。预计至2028年，全球12英寸晶圆月产能将达1,110万片，2024-2028年复合增长率达7%。其中，7nm及以下先进制程产能增速尤为显著，将从2024年的每月85万片增至2028年的140万片，年复合增长率14%（行业平均的2倍），占全球总产能比例提升至12.6%。
据供应链消息确认，高通新一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 2（代号SM8850）将首次采用双轨代工策略：台积电负责基于N3P（3nm增强版）工艺的通用版本，供应主流安卓厂商；而三星则承接其2nm工艺（SF2）专属版本，专供2026年三星Galaxy S26系列旗舰机。此举标志着高通打破台积电独家代工依赖，三星先进制程首次打入头部客户供应链。
在AI算力需求爆发性增长的浪潮下，存储巨头美光科技交出超预期答卷。其2025财年第三季度营收达93亿美元，创历史新高，其中高带宽内存（HBM）业务以环比50%的增速成为核心引擎。凭借全球首款12层堆叠HBM3E的量产突破，美光不仅获得AMD、英伟达等头部客户订单，更计划在2025年末将HBM市占率提升至24%，直逼行业双寡头。随着下一代HBM4基于1β制程的性能优势验证完成，一场由技术迭代驱动的存储市场格局重构已然开启。
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随着汽车智能化电动化进程加速，自动驾驶（AD）和高级驾驶辅助系统（ADAS）等关键技术模块已成为现代车辆标配。这些系统依赖于大量高性能电子控制单元（ECU）和传感器，导致车内电子元件数量激增。作为电路稳压滤波的核心元件，多层片式陶瓷电容器（MLCC）的需求随之水涨船高，尤其是在集成电路（IC）周边，对大容量电容的需求尤为迫切。然而，有限的电路板空间与日益增长的元件数量及性能要求形成了尖锐矛盾，元件的高性能化与小型化成为行业亟待攻克的关键难题。
