台积电和三星在先进制程竞争激烈，互抢对方客户之事屡见不鲜。根据研究机构调查数据，今年乃至明年间，台积电与三星在晶圆代工产能投资将居全球前二大，形成两强对决局面，在商业模式、产能规模、技术上的三大差异，让二者之间竞争消长一直都是业界话题。

二家厂商英雄所见相同之处，都是在先进制程技术以外，积极布局下游先进封装领域。包括3DFabric平台、I-Cube与X-Cube系列，希望结合先进制程，加上独门的先进封装技术，以完整的解决方案，争取客户青睐。

不过，两家厂商有三大差异，最大差异当属商业模式，三星和英特尔同样有整合元件（IDM）业务领域，但台积电一开始就鼓励IC设计厂商“fabless”，以自身专注晶圆制造为客户服务。台积电不与客户竞争，加上先进技术、强大制造、坚强的客户伙伴关系等三位一体竞争优势，近十年培养出规模经济，彼此间有加乘效益。

不过，业界观察，三星因有强大系统整合与终端产品经验等，对部分寻找出海口的芯片厂来说具有更大话语权，比如和芯片客户谈代工也谈订单，在三星晶圆代工厂投片，将有可望在三星旗下品牌导入采用。

三星是全球前二大智能手机品牌，年出货量约2.4亿支，调整自制与采购芯片自然产生彼此平衡力道。例如三星往IDM模式发展，对其他直接竞争的手机品牌的投片生产当然较难争取，但若非直接竞争者的芯片或GPU厂商，相对无利害关系，找三星代工就是一个参考选项。

第二大差异是量产规模决定了代工地位，因三星晶圆代工的先进制程产能仅约台积电四分之一，其中产能有五成以上自用，仅约四成释出接单，总产能仍少于台积电，不少投片生产的客户多将三星代工当成第二供应商的考量。

双方PK最厉害的应该是先进制程的量产规模，代表了最直接的竞争力。虽然三星常把超越台积电挂在嘴边，但知名研究机构The Information Network预测，台积电和三星在7纳米乃至更先进的制程上，实际量产产能规模差距近三年仍相当明显。

以7纳米来看，2019年时台积电7纳米产能约每月10.5万片，对应三星制程的相关产能则仅约2万片，2020年二者之间产能差距推估约14万片与2.5万片，台积高出三星4.6倍。

同样的情况也在5纳米制程上发生，机构数据显示，推估台积电5纳米月产能将在今年内达到月产12万片，三星也积极在韩国本地扩充，估计月产能有机会达到3.5万片，台积电仍超过2.42倍。

第三大差异，市场估计将落在3纳米制程技术上。三星在3纳米先进制程的实际量产目标已调整为2022年上半年先量产第一代3纳米，采用环绕闸极技术（Gate-All-Around；GAA）精进制程，提高量产良率。台积电目标在2022年下半年量产3纳米，仍采用鳍式场效电晶体（FinFET）技术。

三星同时开发3纳米乃至2纳米所需的第二代技术多桥通道场效应电晶体（Multi-Bridge-Channel FET；MBCFET），希望在第一代3纳米量产后一年导入生产。三星指出，新技术能使芯片效能较7纳米制程提高35%、面积减少45%，功耗降低五成。但并未明讲实际量产情况，尚须持续追踪。

台积电仍计划使用FinFET架构提供客户3纳米制程产能，并在法说会上强调，将提供客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本，对照5纳米及7纳米的开发与导入时间，台积电选择多种的成本组合让客户选择，让高效能运算及智能手机应用上都有较多客户使用3纳米。

（来源：经济日报）