台积电美国工厂2024年起生产手机用5nm芯片

发布时间:2021-10-18 阅读量:761 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网汇编

10月18日,台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的晶圆厂,将于2024年起生产5nm芯片,公司表示,届时月产能将达到2万片。


据CNBC报道,台积电首席战略官、亚利桑那州项目首席执行官RickCassidy对该媒体表示,该晶圆厂产能将集中于应用于智能手机的CPU、GPU、IPU等。


目前,美国没有一家工厂可以生产5nm芯片,而台积电正在改变这一现状。“如果你想要更大产能,就必须建造更多晶圆厂。这也是我们搬到美国的原因之一,”Cassidy说,“我们的客户希望我们留在美国,美国政府希望我们留在这里。”


但报道指出,台积电美国工厂仍面临一些挑战,例如水资源。建造一个晶圆厂和制造芯片需要大量的水。据台积电技术总监TonyChen介绍,台积电每天需要大约470万加仑的水来支持生产。


据了解,亚利桑那州最大的水源是地下水。台积电表示,一个现场水处理中心将回收高达90%的工厂用水。大凤凰城经济委员会主席兼首席执行官ChrisCamacho表示:“在使用反渗透和其他技术解决方案后,这些水将重新注入含水层。”


另一个挑战是,大多数5nm专家都在亚洲。为了解决这个问题,台积电的学术关系经理RoxannaVega说,公司将从中国台湾请来一些顶级专家。此外,公司已经向派遣了250多名美国新员工进行培训,为期12至18个月,以跟上进度。


相关资讯
从32%到14%!西门子并购Excellicon破解芯片流片困局

在全球半导体设计复杂度持续攀升的背景下,时序收敛已成为芯片流片成功的关键挑战。西门子数字工业软件公司于2025年5月宣布与美国EDA初创企业Excellicon达成收购协议,旨在通过整合后者在时序约束开发、验证及管理领域的领先技术,强化其集成电路设计工具链的完整性与竞争力。此次并购标志着西门子EDA向全流程解决方案的进一步延伸,其产品组合将覆盖从约束文件编写到物理实现的完整闭环。

英飞凌、纳微半导体入局,英伟达HVDC联盟剑指下一代AI数据中心标准

随着生成式AI模型的参数量突破万亿级别,数据中心单机架功率需求正以每年30%的速度激增。传统54V直流配电系统已逼近200kW的物理极限,而英伟达GB200 NVL72等AI服务器机架的功率密度更是突破120kW,预计2030年智算中心机架功率将达MW级。为此,英伟达在2025年台北国际电脑展期间联合英飞凌、纳微半导体(Navitas)、台达等20余家产业链头部企业,正式成立800V高压直流(HVDC)供电联盟,旨在通过系统性技术革新突破数据中心能效瓶颈。

从分销龙头到智造推手:大联大如何以“双擎计划”重构半导体生态价值链?

在全球半导体产业深度变革与工业4.0深化阶段,大联大控股以创新驱动与生态协同的双重引擎,再度彰显行业领军地位。据Brand Finance 2025年5月9日发布的“中国品牌价值500强”榜单显示,大联大品牌价值同比提升12.3%,排名跃升至第218位,连续三年实现位次进阶。这一成就不仅源于其在亚太分销市场28.7%的占有率(ECIA数据),更与其“技术增值+场景赋能”的战略转型密不可分。面对工业数字化万亿规模市场机遇,公司通过深圳“新质工业”峰会推动23项技术合作落地;凭借MSCI连续三年AA级ESG评级,构建起覆盖绿色供应链与低碳创新的治理架构;而在汽车电子赛道,则以“生态立方体”模式缩短技术创新产业化周期。随着“双擎计划”的启动,这家半导体巨头正以全链协同之势,重塑智造升级的技术底座与商业范式。

AMD对决NVIDIA:Radeon AI Pro R9700能否撼动RTX 5080的市场地位?

2025年5月21日,AMD在台北国际电脑展(Computex 2025)正式发布首款基于RDNA 4架构的专业显卡Radeon AI Pro R9700,标志着其在AI加速领域的全面发力。该显卡采用台积电N4P工艺打造的Navi 48芯片,晶体管密度达到每平方毫米1.51亿个,相较前代提升31%。凭借32GB GDDR6显存、1531 TOPS的INT4算力及四卡并联技术,R9700瞄准AI推理、多模态模型训练等高负载场景,直接挑战NVIDIA在专业显卡市场的统治地位。

革新电流传感技术:TMR电流传感器的核心技术优势与市场蓝海分析

在工业自动化、新能源及智能电网领域,电流检测的精度与可靠性直接影响系统安全性与能效表现。传统霍尔(Hall)电流传感器因温漂大、响应速度慢等缺陷,已难以满足高精度场景需求。多维科技(Dowaytech)基于自主研发的隧道磁电阻(TMR)技术,推出了一系列高精度、低温漂、高频响的电流传感器,成为替代传统方案的革新力量。