发布时间：2021-10-11 阅读量：695 来源: 第三代半导体产业发展高峰论坛 发布人: Viva
第三代半导体材料的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。
氮化镓GaN已在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下，成本在1美金左右。氮化镓GaN功率器件在低压领域（0-900V）率先商用，替代传统的硅基功率器件。更有实验室宣布最新工作电压可达1200V的硅基GaN外延片，如若该技术商业化顺利，1000V以上中高压领域，硅基GaN也有可能获得一部分市场份额。
新能源汽车为碳化硅SiC的最重要应用领域，如主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等。相较于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET电动车的续航里程更长。EPA城市路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，将节省77%的能量损耗。EPA高速路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，节省85%的能量损耗。能耗节省直观增加车辆续航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的电动车比使用硅基IGBT电动车将增加5-10%的续航里程。
目前我国厂商已布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节。整体来看我国第三代半导体全产业链自主可控能力较强。
氮化镓GaN单晶生长困难问题有何良策？
氮化镓GaN何时可提升其射频市场的渗透率？
碳化硅良率提升问题如何解决？
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更多您关心的第三代半导体尽在12月9日 深圳国际会展中心(宝安新馆)“ 第三代半导体产业发展高峰论坛 ”诚邀您听会交流
同期峰会预告：
2021第四届“5G&半导体产业技术高峰会
时间：2021年12月8下午13:30-17:30日 地点：深圳国际会展中心（宝安）
在全球半导体产业深度变革与工业4.0深化阶段，大联大控股以创新驱动与生态协同的双重引擎，再度彰显行业领军地位。据Brand Finance 2025年5月9日发布的“中国品牌价值500强”榜单显示，大联大品牌价值同比提升12.3%，排名跃升至第218位，连续三年实现位次进阶。这一成就不仅源于其在亚太分销市场28.7%的占有率（ECIA数据），更与其“技术增值+场景赋能”的战略转型密不可分。面对工业数字化万亿规模市场机遇，公司通过深圳“新质工业”峰会推动23项技术合作落地；凭借MSCI连续三年AA级ESG评级，构建起覆盖绿色供应链与低碳创新的治理架构；而在汽车电子赛道，则以“生态立方体”模式缩短技术创新产业化周期。随着“双擎计划”的启动，这家半导体巨头正以全链协同之势，重塑智造升级的技术底座与商业范式。
2025年5月21日，AMD在台北国际电脑展（Computex 2025）正式发布首款基于RDNA 4架构的专业显卡Radeon AI Pro R9700，标志着其在AI加速领域的全面发力。该显卡采用台积电N4P工艺打造的Navi 48芯片，晶体管密度达到每平方毫米1.51亿个，相较前代提升31%。凭借32GB GDDR6显存、1531 TOPS的INT4算力及四卡并联技术，R9700瞄准AI推理、多模态模型训练等高负载场景，直接挑战NVIDIA在专业显卡市场的统治地位。
在工业自动化、新能源及智能电网领域，电流检测的精度与可靠性直接影响系统安全性与能效表现。传统霍尔（Hall）电流传感器因温漂大、响应速度慢等缺陷，已难以满足高精度场景需求。多维科技（Dowaytech）基于自主研发的隧道磁电阻（TMR）技术，推出了一系列高精度、低温漂、高频响的电流传感器，成为替代传统方案的革新力量。
全球碳化硅半导体龙头企业Wolfspeed正深陷债务危机漩涡。据路透社、彭博社等多家权威媒体援引知情人士消息，因未能与债权人就数十亿美元债务达成重组协议，该公司或于未来两周内启动《美国破产法》第11章程序寻求债务重组。受此消息影响，其股价在盘后交易中暴跌57%，市值单日蒸发超10亿美元。这场危机不仅暴露了第三代半导体企业在技术商业化进程中的财务风险，更引发市场对碳化硅产业链稳定性的深度担忧。截至发稿，Wolfspeed官方尚未就破产传闻作出正式回应，但此前财报中关于“持续经营能力存疑”的预警已为此次风暴埋下伏笔。
全球半导体行业正经历深度调整之际，美国芯片大厂Microchip于5月20日宣布对其PolarFire FPGA（现场可编程门阵列）及SoC（片上系统）产品线实施30%幅度的价格下调。这一战略性定价调整源于EEnews europe披露的内部策略文件，标志着该公司在边缘计算领域发起市场份额争夺战。
