发布时间：2021-10-11 阅读量：729 来源: 第三代半导体产业发展高峰论坛 发布人: Viva
第三代半导体材料的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。
氮化镓GaN已在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下，成本在1美金左右。氮化镓GaN功率器件在低压领域（0-900V）率先商用，替代传统的硅基功率器件。更有实验室宣布最新工作电压可达1200V的硅基GaN外延片，如若该技术商业化顺利，1000V以上中高压领域，硅基GaN也有可能获得一部分市场份额。
新能源汽车为碳化硅SiC的最重要应用领域，如主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等。相较于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET电动车的续航里程更长。EPA城市路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，将节省77%的能量损耗。EPA高速路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，节省85%的能量损耗。能耗节省直观增加车辆续航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的电动车比使用硅基IGBT电动车将增加5-10%的续航里程。
目前我国厂商已布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节。整体来看我国第三代半导体全产业链自主可控能力较强。
氮化镓GaN单晶生长困难问题有何良策？
氮化镓GaN何时可提升其射频市场的渗透率？
碳化硅良率提升问题如何解决？
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同期峰会预告：
2021第四届“5G&半导体产业技术高峰会
时间：2021年12月8下午13:30-17:30日 地点：深圳国际会展中心（宝安）
日本政府支持的半导体企业Rapidus于7月18日宣布，已成功试产国内首个2nm晶体管，标志着该国在先进芯片制造领域取得关键突破。这一进展是日本耗资5万亿日元（约合340亿美元）半导体复兴计划的重要里程碑，旨在重塑其在全球芯片产业链中的竞争力。
在2025年RISC-V中国峰会的“高性能计算分论坛”上，Andes晶心科技CEO林志明正式发布了公司最新一代64位RISC-V处理器IP——AX66。该产品基于RISC-V国际基金会最新批准的RVA23 Profile标准，专为高性能计算（HPC）、AI加速及边缘计算等场景优化，标志着RISC-V生态在高性能计算领域的进一步成熟。
随着电子设备复杂度的提升和产品开发周期的缩短，电磁兼容性（EMC）测试已成为制造商面临的关键挑战。传统EMI测量方法效率低下，难以捕捉瞬态干扰信号，导致测试周期延长、成本增加。是德科技（Keysight Technologies）推出的新一代PXE电磁干扰（EMI）测量接收机，通过突破性的1 GHz实时无间隙扫描技术，将测试速度提升3倍，显著优化了EMC认证流程，为工程师提供了更高效、精准的测试解决方案。
全球电商及云计算巨头亚马逊近日对其核心利润引擎——亚马逊网络服务（AWS）部门实施新一轮裁员。据公司内部消息人士透露，本次调整涉及销售、市场及技术解决方案团队，受影响岗位达数百人。这是继4月影视与硬件部门优化后，亚马逊2024年内第三次公开披露的裁员计划，反映出企业在人工智能浪潮下的持续业务重塑。
随着汽车电子化程度不断提高，高边驱动器（High-Side Driver）在车身控制模块（BCM）、LED照明、电机驱动等应用中发挥着关键作用。圣邦微电子（SG Micro）推出的SGM42203Q是一款专为汽车电子设计的24V双通道高边驱动器，具备模拟电流检测、高可靠性及智能保护功能，可广泛应用于电阻性、电容性和电感性负载驱动。本文将深入解析该产品的技术优势、市场竞争力及典型应用场景。
