安森美发布新的650V SiC MOSFET器件 提供高可靠性/功率密度

2021年2月18日，安森美半导体(ON Semiconductor)发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

安森美半导体新的车规AECQ101和工业级合格的650伏(V)SiC MOSFET基于一种新的宽禁带材料，提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效、功率密度，及减小电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp(Rdson*area)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装，具有市场最低的Rdson(12 mOhm)。

这技术还优化能量损失品质因数，从而优化了汽车和工业应用中的性能。内置门极电阻(Rg)为设计人员提供更大的灵活性，而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。更高的浪涌、雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性，从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。

安森美半导体先进电源分部高级副总裁Asif Jakwani在发布新品时说：“在现代电源应用中，如电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和可再生能源、企业计算及电信等其他应用，高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的SiC MOSFET比同等的硅开关技术显著提高性能，使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。增强的性能降低损耗，从而提高能效，减少热管理需求，并降低电磁干扰(EMI)。使用这些新的SiC MOSFET的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。”