发布时间:2020-12-21 阅读量:741 来源: 我爱方案网 作者:
12月20日晚间,中芯国际发布纳入“实体清单”的说明公告,公司关注到美国商务部以保护美国国家安全和外交利益为由,将中芯国际及其部分子公司及参股公司列入“实体清单”。
中芯国际表示,经公司初步评估,该事项对公司短期内运营及财务状况无重大不利影响,对10nm及以下先进工艺的研发及产能建设有重大不利影响,公司将持续与美国政府相关部门进行沟通,并视情况采取一切可行措施,积极寻求解决方案,力争将不利影响降到最低。
被列入“实体清单”
根据中芯国际公告,公司被列入“实体清单”后,根据美国相关法律法规的规定,针对适用于美国《出口管制条例》的产品或技术,供应商须获得美国商务部的出口许可才能向公司供应;对用于10nm及以下技术节点(包括极紫外光技术)的产品或技术,美国商务部会采取“推定拒绝”(PresumptionofDenial)的审批政策进行审核;同时公司为部分特殊客户提供代工服务也可能受到一定限制。
这意味着,如果没有经过美国政府方面许可,中芯国际将无法进一步获得相关美国企业的技术和产品。而在先进技术节点(10纳米或以下)生产半导体所需的独有许可项目将被预先设定为拒绝。
事实上,此番中芯国际被美国政府列入到“实体清单”,并不令外界感到意外。自2020年9月5日公司从媒体获悉可能被美国商务部列入“贸易黑名单”以来,一直努力与美国政府相关部门沟通,以期得到公平、公正的对待。
“遗憾的是,公司仍然被列入了‘实体清单’。对此,中芯国际表示坚决反对,并再次重申,公司自成立以来一贯恪守合规运营的原则,严格遵守生产经营活动所涉及相关国家和地区的法律法规,从未有任何涉及军事应用的经营行为。”中芯国际在12月20日的公告中表示。
积极寻求解决方案
谈及具体影响,经中芯国际初步评估,该事项对公司短期内运营及财务状况无重大不利影响,对10nm及以下先进工艺的研发及产能建设有重大不利影响,公司将持续与美国政府相关部门进行沟通,并视情况采取一切可行措施,积极寻求解决方案,力争将不利影响降到最低。
国内半导体业内人士对证券时报·e公司记者分析,考虑到美国在半导体领域的地位,本次事件对中芯国际在先进制程领域的发展构成了明显的不利影响。从行业现状看,集成电路晶圆代工行业对原材料和设备有较高要求,部分重要原材料及核心设备在全球范围内的合格供应商数量较少,大多来自中国境外,而美国基本主导半导体设备行业。从投资规模看,先进集成电路大规模生产线的投资可达100亿美元,75%以上是半导体设备投资,其中最关键、最大宗的设备是光刻机、等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等。
美国政府的此番举动,令中芯国际陷入了内忧外患的境地。毕竟,该公司近日还正经历一场重大的人事危机,联合CEO梁孟松突然辞职。
上述人事危机是否还有回旋余地,目前尚未可知。前述中芯国际方面人士对证券时报·e公司记者回应称:“公司最高管理层人事变动,还请以公司发布公告为准。”
来源:证券时报网
国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出,生成式AI需求的爆发正推动全球芯片制造产能加速扩张。预计至2028年,全球12英寸晶圆月产能将达1,110万片,2024-2028年复合增长率达7%。其中,7nm及以下先进制程产能增速尤为显著,将从2024年的每月85万片增至2028年的140万片,年复合增长率14%(行业平均的2倍),占全球总产能比例提升至12.6%。
据供应链消息确认,高通新一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 2(代号SM8850)将首次采用双轨代工策略:台积电负责基于N3P(3nm增强版)工艺的通用版本,供应主流安卓厂商;而三星则承接其2nm工艺(SF2)专属版本,专供2026年三星Galaxy S26系列旗舰机。此举标志着高通打破台积电独家代工依赖,三星先进制程首次打入头部客户供应链。
在AI算力需求爆发性增长的浪潮下,存储巨头美光科技交出超预期答卷。其2025财年第三季度营收达93亿美元,创历史新高,其中高带宽内存(HBM)业务以环比50%的增速成为核心引擎。凭借全球首款12层堆叠HBM3E的量产突破,美光不仅获得AMD、英伟达等头部客户订单,更计划在2025年末将HBM市占率提升至24%,直逼行业双寡头。随着下一代HBM4基于1β制程的性能优势验证完成,一场由技术迭代驱动的存储市场格局重构已然开启。
随着汽车智能化升级,高保真低延迟高集成度的音频系统成为智能座舱的核心需求。意法半导体(ST)推出的HFDA80D和HFDA90D车规级D类音频功放,以2MHz高频开关技术数字输入接口及先进诊断功能,为车载音频设计带来突破性解决方案。
随着汽车智能化电动化进程加速,自动驾驶(AD)和高级驾驶辅助系统(ADAS)等关键技术模块已成为现代车辆标配。这些系统依赖于大量高性能电子控制单元(ECU)和传感器,导致车内电子元件数量激增。作为电路稳压滤波的核心元件,多层片式陶瓷电容器(MLCC)的需求随之水涨船高,尤其是在集成电路(IC)周边,对大容量电容的需求尤为迫切。然而,有限的电路板空间与日益增长的元件数量及性能要求形成了尖锐矛盾,元件的高性能化与小型化成为行业亟待攻克的关键难题。