发布时间：2020-12-17 阅读量：716 来源: 发布人: lina
双MOSFET器件通过节省空间、减少器件数量和提高可靠性，简化汽车电磁阀控制电路。
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天发布获得AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合，重点关注动力系统应用。该技术已通过十亿个雪崩周期测试，可用于汽车感性负载控制，例如电磁阀和执行器。除了提供更快的关断时间（高达4倍）外，该技术还能通过减少BOM数量简化设计。
在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩设计，利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其关断期间来自感性负载电流的能量。这种设计与主动钳位方案的效率相当，能够消除对于二极管和其他器件的需求，从而最大程度地减少器件数量并降低电路复杂性。此外，这种设计还能支持更快的关断时间，进而提高电磁阀和继电器等机电器件的可靠性。通常来讲，这种设计只能使用基于陈旧平面技术的器件。Nexperia汽车重复雪崩ASFET产品系列专为解决此问题而开发，能够提供经过十亿个周期测试的可靠重复雪崩功能。此外，与升压拓扑相比，这一产品系列可以减少多达15个板载器件，将器件管脚尺寸效率提高多达30%，从而简化设计。
新的MOSFET在175°C时完全符合AEC-Q101汽车标准，提供40 V和60 V选项，典型RDS(ON)额定值为12.5mΩ至55mΩ。所有器件均采用公司节省空间的LFPAK56D（双通道Power-SO8）铜夹片封装技术。该封装坚固可靠，配备鸥翼引脚，实现出色的板级可靠性，并兼容自动光学检查(AOI)，提供出色的可制造性。
Nexperia产品经理Richard Ogden解释说：“通常，希望实现重复雪崩拓扑的工程师不得不依赖基于陈旧平面半导体技术的器件。通过在更高性能硅结构的基础上，提供具有可靠重复雪崩功能的汽车级器件，就能增加利用其功能优势而设计的动力总成数量。”
Nexperia于2020年初推出了专用FET (ASFET)系列，旨在满足业界对于最大化性能的需求。ASFET的MOSFET参数针对特定应用进行了优化。通过专注于特定的应用，可实现显著的改进。其他ASFET系列适用于热插拔、以太网供电(PoE)、电池保护和电机控制应用。
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