发布时间：2020-11-12 阅读量：1984 来源: 我爱方案网 作者: cicyxu
近日，在华为官方发布的《任总在C9高校校长一行来访座谈会上的讲话》一文中，任正非明确表示，我国芯片设计已经步入世界领先，达到世界第一水平的芯片制造技术在台湾。但是大陆芯片产业的最大问题就是制造设备与基础工业，制造没有追上芯片设计的脚步，造成芯片行业的短板效应，因为容易被人卡脖子。
国产芯片设计水平居于领先地位的无疑就是华为海思，任正非说国产芯片在设计方面居于全球领先地位，应该就是说华为海思在芯片设计方面居于领先地位。华为海思研发的高端芯片在性能方面已能与手机芯片老大高通、三星等比肩，从这个方面来说，华为海思确实可以说达到了领先水平。
纵观全球，只有三星、英特尔等少数几家企业能完成芯片全套的程序。海思芯片用到了很多ARM的技术架构，目前海思芯片还无法完全脱离ARM所建立的技术底层。
华为海思研发的手机芯片基本都是采用ARM的公版CPU核心和GPU核心，一旦双方的合作出现障碍，华为就无法跟上世界的脚步，例如去年的麒麟990 5G芯片和今年的麒麟9000芯片都未采用ARM最新的公版核心，导致性能方面落后于高通和三星。
由此可见华为在研发先进芯片方面其实收到ARM的制约，ARM给与它最先进的技术授权，华为海思才能设计出最先进的芯片，一旦ARM与它的合作受阻，它的芯片技术就受到重大的阻碍。当然了，华为目前也在建立自己的底层技术。
华为在手机芯片方面确实具有了较强的技术优势，不过它的这种领先优势其实还是有一定的局限性。如果放到中国整个芯片产业来说，中国在芯片设计方面的技术领先优势就更为有限了。
芯片多种多样，据统计数据指全球芯片市场有大约一半来自美国。美国能在全球芯片行业居于绝对的领先地位，得益于它保持100多年的全球制造业一哥地位，这种深厚的积累才奠定了它如今在芯片行业的领导地位。
对于中国来说，中国仅仅是在手机芯片的某个方面具有一定的技术领先优势，在整体上于海外芯片企业的还是有一定的差距的。如果从各个芯片行业来说，中国落后的地方就更多了。
在存储芯片行业，中国的存储芯片才刚刚起步，长江存储和合肥长鑫去年才投产存储芯片，当然值得高兴的是长江存储今年已研发出于全球主流水平相当的128层NAND flash，但是中国的存储芯片产能占全球的比例还太小，预计到明年才能占有一成多点的市场份额。
在模拟芯片方面的落后更是人所共知，据称中国生产的模拟芯片占全球模拟芯片的比例只有一成左右，而且中国生产的模拟芯片主要是低端芯片，高端的模拟芯片几乎全数进口，华为恰恰在模拟芯片方面几乎完全受制于美国，这个行业恐怕需要十年乃至更长时间才能赶得上。
正如余承东所说，华为一家公司的力量也是有限的，麒麟芯片之所以受限，主要原因就是因为国内找不到一家高端的芯片制程商为麒麟芯片服务。芯片制造的每一台设备、每一项材料都非常尖端、非常难做，没有高端的有经验的专家是做不出来的。
所以，当前国产芯片最大的难题还是在于芯片的制程方面，整个芯片差距要在于制造，芯片制造能力，芯片制造设备研发能力，背后是基础科学、工程科学、应用科学的沉积。
因而，我们国家要重视装备制造业、化学产业。化学就是材料产业，材料就是分子、原子层面的科学。需要出来更多的尖子人才和交叉创新人才，才会有突破的可能。
任正非还表示，望国内顶尖大学不要过度关注眼前工程与应用技术方面的困难，要专注在基础科学研究突破上，“向上捅破天、向下扎下根”，努力在让国家与产业在未来不困难。
国际半导体产业协会（SEMI）最新报告指出，生成式AI需求的爆发正推动全球芯片制造产能加速扩张。预计至2028年，全球12英寸晶圆月产能将达1,110万片，2024-2028年复合增长率达7%。其中，7nm及以下先进制程产能增速尤为显著，将从2024年的每月85万片增至2028年的140万片，年复合增长率14%（行业平均的2倍），占全球总产能比例提升至12.6%。
据供应链消息确认，高通新一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 2（代号SM8850）将首次采用双轨代工策略：台积电负责基于N3P（3nm增强版）工艺的通用版本，供应主流安卓厂商；而三星则承接其2nm工艺（SF2）专属版本，专供2026年三星Galaxy S26系列旗舰机。此举标志着高通打破台积电独家代工依赖，三星先进制程首次打入头部客户供应链。
在AI算力需求爆发性增长的浪潮下，存储巨头美光科技交出超预期答卷。其2025财年第三季度营收达93亿美元，创历史新高，其中高带宽内存（HBM）业务以环比50%的增速成为核心引擎。凭借全球首款12层堆叠HBM3E的量产突破，美光不仅获得AMD、英伟达等头部客户订单，更计划在2025年末将HBM市占率提升至24%，直逼行业双寡头。随着下一代HBM4基于1β制程的性能优势验证完成，一场由技术迭代驱动的存储市场格局重构已然开启。
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随着汽车智能化电动化进程加速，自动驾驶（AD）和高级驾驶辅助系统（ADAS）等关键技术模块已成为现代车辆标配。这些系统依赖于大量高性能电子控制单元（ECU）和传感器，导致车内电子元件数量激增。作为电路稳压滤波的核心元件，多层片式陶瓷电容器（MLCC）的需求随之水涨船高，尤其是在集成电路（IC）周边，对大容量电容的需求尤为迫切。然而，有限的电路板空间与日益增长的元件数量及性能要求形成了尖锐矛盾，元件的高性能化与小型化成为行业亟待攻克的关键难题。
