发布时间：2020-10-23 阅读量：834 来源: 快科技 发布人: Viva
台积电是第一家将EUV(极紫外)光刻工艺商用到晶圆代工的企业，目前投产的工艺包括N7+、N6和N5三代。
其中N7+即第二代7nm，EUV总计4层。即便如此，这也相较于多重曝光也节省了时间，提高了芯片的生产效率。
不过，迭代到5nm后，EUV的层数达到了14层，包括但不限于触点、过孔以及关键金属层等过程。
而最快2022年投产的3nm，为了实现15%的性能提升、30%的功耗下降以及70%的密度增加，ASML(阿斯麦)透露，EUV将超过20层，也就是鳍片和栅极都要引入EUV切割掩模。
阿斯麦CEO Peter Wennink表示，EUV层数增加有很多好处，比如只需要单重曝光而不是DUV设备的多重曝光，对DRAM芯片同样如此。
为此，台积电将需要确保EUV光刻机的安装数量，但他们显得非常有信心。
在电子电路设计中，晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm，也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语，正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。
在电子电路设计中，晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm，也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语，正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。
电路板中常用到恒温与温补这两种晶振，恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器，既有源晶振，所以组成的振荡电路都需要电源加入才能工作
汽车电子系统日益复杂，尤其在48V架构、ADAS与电控系统普及的当下，对瞬态电压抑制器（TVS）的功率密度、高温耐受性及小型化提出了严苛挑战。传统大功率TVS往往体积庞大，难以适应紧凑的ECU布局。威世科技（Vishay）日前推出的T15BxxA/T15BxxCA系列PAR® TVS，以创新封装与卓越性能直面行业痛点，为下一代汽车设计注入强大保护能力。
韩国半导体巨头SK海力士近日在DRAM制造领域实现重大技术飞跃。据ZDNet Korea报道，该公司首次在其1c制程节点中成功应用6层EUV（极紫外）光刻技术，显著提升了DDR5与HBM（高带宽内存）产品的性能、密度及良率，进一步巩固其在先进内存市场的领导地位。
