达林顿晶体管的原理

达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+NPN. 前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。将前一级T1的输出接到下一级T2的基极，两级管子共同构成了复合管。另外，为避免后级T2管子导通时，影响前级管子T1的动态范围，T1的CE不能接到T2的BE之间，必须接到CB间。以NPN+PNP为例。设前一三极管T1的三极为C1B1E1，后一三极管T2的三极为C2B2E2。达林顿管的接法应为：C1B2应接一起，E1C2应接一起。等效三极管CBE的管脚，C=E1,B=B1，E=E1(即C2）。等效三极管极性，与前一三极管相同。即为NPN型。 PNP+NPN的接法与此类同。由同型管构成的复合管称为达林顿管，图1中的电阻R1为泄放电阻，其作用是为了减小复合管的穿透电流ICEO。下图是这四种复合管接法的等效图。

复合晶体管大大降低了器件对驱动功率的要求，促进了GTR在电力电子装置中应用的普及，并将在功率晶体管的模块组件化中发挥作用. 达林顿管常用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路等。

达林顿晶体管的分类

达林顿晶体管分为两类：一类是普通型达林顿晶体管，内部无保护电路，像2W以下的中、小功率达林顿晶体管多属此类；另一类内部带保护电路，大功率达林顿晶体管便属此类。下表列出了硅NPN型大功率达林顿晶体管的主要特性参数。

达林顿晶体管的特性

1.高电流增益
2.电压增益约等于1（小于1）
3.高输入阻抗
4.低输出阻抗
5.漏电流影响极大，造成电路不稳定

达林顿晶体管的检测方法

因为达林顿管的E-B电极之间包含多个发射结，所以必须选择万用表R×10k档进行检测，该档可提供较高的测试电压。检测内容包括：①识别电极；②区分NPN型、PNP型；③检查放大能力。下面通过一个实例来阐述测试方法。

被测管为美国Motoro1a公司生产的MPSA6266型达林顿管，它属于中功率、低噪声硅达林顿管，外形如图2所示。主要电参数为：hFE=5000-200000，PCM=600mW，噪声系数NF＜2dB。采用塑料封装形式。

为叙述方便,现分别为三只脚管编上序号①、②、③。选择500型万用表R×10k档。由附录四中查出该档电压比例系数K′=0.18V/格，采用读取电压法时的计算公式为V=0.18n′(V)；电压比例系数K=1.8μA/格，读取电流法计算公式是I=1.8n(μA)。全部测量数据整理成表格。

分析表格可以判定②为基极，并且被测管属于PNP型。下面进一步识别E、C电极，同时检查管子的放大能力。首先将黑表笔接①，红表笔接③，并用两手分别捏住①、③两脚，电阻值为450kΩ；当用舌舔基极时，可以观察到表针向右侧作大幅度偏转，指于35kΩ处。然后交换两支表笔的位置，再用舌舔基极时，发现表针不动。由此判定：①为发射极，③为集电极，并且此管的放大能力很强。穿透电流ICEO=9μA。

注意事项：不宜用R×1k档检查达林顿管的放大能力。因该档电池电压仅1.5V，很难使管子进入放大区工作。测量时不得用手摸住管壳。