发布时间：2019-11-14 阅读量：620 来源: 发布人: CiCi
11 月 14 日， 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）宣布，基于瑞萨独有的SOTB™（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋层覆硅）制程工艺的能量收集嵌入式微控制器（MCU）RE荣获由全球电子技术领域知名媒体集团Aspencore评选出的2019年度MCU产品奖。该奖项此次共收到来自行业内知名半导体供应商的100多款候选产品，通过Aspencore编辑的评估，挑选出10多款产品入围，最终RE脱颖而出，获得该产品奖。
瑞萨能量收集芯片RE采用了革命性SOTB制程工艺，该技术可帮助用户同时实现低工作电流和待机电流，以及低压下高速运行。瑞萨电子于10月31日正式发布的RE家族首个产品组RE01的32位CPU内核使用户能够在环境能量场中（例如光、振动或液体流动），为仅需微量能量的设备提供动力，从而实现智能功能。SOTB嵌入式控制器在生物监测器或室外环境传感应用中，可从信号数据中排除噪声，使应用程序执行高精度传感和数据判断。因为免除了大量应用中对电池维护的需求，为现实生活中实现万物互联提供了直接的帮助。如需了解有关瑞萨电子基于SOTB的RE产品家族更多信息，请访问此处。
瑞萨电子株式会社高级副总裁，瑞萨电子中国董事长真冈朋光表示：“RE可以获得此次年度MCU类产品奖，我们感到非常自豪。基于SOTB制程工艺的超低功耗功能非常适合用于物联网领域。通过环境能源发电、以及传感器与无线器件的组合，RE将为多种多样的面向物联网领域的应用开发做出贡献。”
全球电子成就奖（WEAA）旨在表彰在全球电子工业创新和发展方面做出杰出贡献的公司和个人。
在万物互联与智能化浪潮席卷全球的今天，新唐科技以颠覆性创新奏响行业强音。4月25日，这场历时10天、横跨七城的科技盛宴在深圳迎来高潮，以"创新驱动AI、新能源与车用科技"为主题，汇聚全球顶尖行业领袖，首次公开七大核心产品矩阵，展现从芯片设计到智能生态的全链条创新能力，为半导体产业转型升级注入新动能。
在2025年北美技术研讨会上，台积电正式宣布其A14（1.4nm）工艺将于2028年量产，并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后，折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。
随着AIoT技术的快速落地，智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板，搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器，以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置，成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境，可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景，助力产业智能化升级。
作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业，荷兰ASM国际（ASMI）近日发布2024年第一季度财报，展现强劲增长动能。财报显示，公司当季新增订单额达8.34亿欧元（按固定汇率计算），同比增长14%，显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破，同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。
随着汽车智能化加速，车载摄像头、激光雷达、显示屏等传感器数量激增，数据传输带宽需求呈指数级增长。传统国际厂商基于私有协议（如TI的FPD-Link、ADI的GMSL）垄断车载SerDes市场，导致车企供应链弹性不足、成本高企。2025年4月，纳芯微电子发布基于HSMT公有协议的全链路国产化SerDes芯片组（NLS9116加串器与NLS9246解串器），通过协议解耦、性能优化与供应链自主可控，为ADAS、智能座舱等场景提供高性价比解决方案，标志着国产车规级芯片从“跟跑”迈向“并跑” 。
