三星芯片代工计划曝光:6nm、5nm、4nm工艺时间表公开

发布时间:2019-08-3 阅读量:1187 来源: AnandTech 发布人: Viva

 

智东西8月2日消息,据外媒AnandTech最新报道,三星代工厂从去年开始生产7LPP(7nm low power plus)制造工艺的芯片,在这之后三星仍加速推动其制造工艺的发展,并于近日宣布将于2019年下半年开始大规模生产6LPP制造工艺的芯片。

此外三星还表示,5LPE(5nm Low Power Early)将在今年内完成流片、明年上半年量产。4LPE也会在年内设计完毕,2021年大规模生产。


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一、三星FinFET工艺芯片市场需求强劲

据三星称,市场对于10LPP/8LPP技术制造的移动SoCs,14LPx/10LPP工艺制造的移动、高性能计算、汽车和网络产品有着强劲的需求。也就是说,三星使用其FinFET(鳍式场效电晶体)工艺制造的产品受到了市场的好评。接下来几年的时间里,三星代工厂将继续使用14nm、10nm和7nm的技术,通过优化或者插入先进的模块来完善特定的应用。

据外媒AnandTech报道,一般的半导体制造商,通常会在18至24个月就大幅提升节点,但三星与其他半导体制造商不一样的是,三星对每个节点的技术都会不断更新和优化,以满足不同客户的需求。三星的这个做法允许它更好的控制其制造成本和制造风险。

二、5LPE工艺年内完成流片,4LPE工艺年内设计完毕

三星表示,如果不出意外的话,EUV(极紫外光刻)技术将成为三星下一代制造工艺的关键推动技术,第一个使用EUV技术的是7LPP制造工艺,之后还会更多的制造工艺使用EUV技术。


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三星还表示,三星6LPP制造工艺是7LPP的改良版,6LPP制造工艺相比于7LPP制造工艺能提供更高的晶体管密度,并且功耗更低。

三星规划将在今年下半年推出5LPE的首批芯片,它在功耗、性能和面积等方面都将优于6LPP制造工艺,并预计在2020年上半年就大规模生产。三星代工厂还预计,5LPE技术将在2020年成为主要的EUV工艺节点,将在高性能计算、移动芯片等多方面应用有众多优势。

三星还规划了7LPP工艺的终极迭代版本4LPE工艺,它将在今年下半年完成开发,预计在2020年制造首批芯片,大规模生产应该会在2021年。


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三星将会在华城(Hwaseong)兴建工厂,提供更多的EUV生产线来满足未来对6LPP和5LPE工艺的需要,这座造价46.15亿美元的工厂将会很快完工,预计于2020年开始大规模生产。

结语:三星代工厂规划明确

三星对其芯片制造工艺的稳步推进,为其技术的发展奠定了非常扎实的基础,同时它合理的规划也能够稳步推动其代工厂稳步的发展,只有这样踏实稳定才能使三星不断扩大芯片代工厂的规模。

我们也期待三星的技术可以不断进步,为行业带来突破性的发展,为我们的电子产品带来更流畅的体验。


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