之前,小编已经和大家介绍过整桥和整桥电路了。但最近大家都在问关于半桥和半桥电路的相关情况。以下,小编将统一和大家分享半桥和半桥电路的相关知识。

半桥电路
半桥的概述
半桥结构如图所示,它是两个功率开关器件(如 MOS 管)以图腾柱的形式相连接,以中间点作为输出,提供方波信号。
这种结构在 PWM 电机控制、DC-AC逆变、电子镇流器等场合有着广泛的应用。上下两个管子由反相的信号控制,当一个功率管开时,另一个关断,这样在输出点 OUT 就得到电压从 0 到 VHV的脉冲信号。由于开关延时的存在,当其中的一个管子栅极信号变为低时,它并不会立刻关断,因此一个管子必须在另一个管子关断后一定时间方可开启,以防止同时开启造成的电流穿通,这个时间称为死区时间,如图中 Td所示。
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半桥及半桥电路
半桥电路的概述
半桥电路包括用于驱动各个下部晶体管(T1)和上部晶体管(T2)的低端驱动模块(110)和高端驱动模块(210)。每个驱动模块(110,210)是电荷俘获电路,其中低端驱动模块(110)用电容性负载(C)上的电荷驱动低端晶体管(T1),以及高端驱动模块(210)在它被高电压源驱动时交替地重新充电该电容性负载(C)。每个电荷俘获电路(110,210)还包括二极管(D1,D2),它阻止在被驱动的晶体管(T1,T2)的栅极上电荷的非故意损失,以及包括齐纳二极管(Z1,Z2),它把栅极电压箝位在安全电平。这样,半桥电路被有效地驱动,而不需要辅助电源。
半桥电路的组成部件
1.一种半桥电路,包括:上部晶体管(T2),其具有一源极被连接到输出端(120),以及具有一漏极被连接到轨(130)用于施加高直流电压;下部晶体管(T1),其具有一源极被连接到轨(140)用于施加低直流电压,以及具有一漏极被连接到输出端(120);上部晶体管控制电路(HS),用于通过把一个信号施加到上部晶体管(T1)的控制端而驱动该上部晶体管(T2);以及下部晶体管控制电路(110),用于通过把一个信号施加到下部晶体管(T1)的控制端而驱动下部晶体管(T1),该下部晶体管控制电路 (110)包括:第三晶体管(T3),其具有一漏极被连接到输出端(120),以及其具有一源极被连接到二极管(D1)的阳极,该二极管(D1)的阴极被连接到下部晶体管(T1)的控制端;以及第四晶体管(T4),其具有一漏极被连接到下部晶体管(T1)的控制端,以及其具有一源极被连接到用于施加低直流电压的轨(140)。
半桥电路的优略势
半桥电路相较全桥电路具有成本低、控制相对容易的优势,但是由于半桥电路的变压器输入电压仅为约正负(1/2)Vin,相较全桥电路当输入电压输出电压相同时,传递相同的功率半桥电路原边开关管承受的电流应力要比全桥电路大得多(约为两倍)
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半桥电路图
半桥电路的应用
半桥电路一般应用于中小功率(1KW以下)场合。
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