发布时间：2018-07-5 阅读量：1185 来源: 我爱方案网 作者: sunny编辑
集成是有好处的有很多原因，但每次集成度的增加通常都伴随着对更多电力的需求。负载点电源(POL)稳压器很好地在需要处并以适当的电平提供电力，但也面临着挑战。
这些挑战包括高能效和合适的功率密度，当然，还有扩展到可编程性和灵活性、具有快速的瞬态响应、严格的容限和精度。所有这一切，必须结合在一个方案中，具有可靠的电流和电压保护及卓越的热管理。
高电流的POL应用确实存在着一系列的挑战，但是FAN6500XX产品系列已经被设计用来处理这些问题。FAN65004B/5A/8B系列能提供高达100 W的功率及达95%的高能效，提供出色的热性能，在小的6x6mm PQFN 35封装中温度仅升29°C。此外，FAN 65系列有一个节能模式，以实现轻载条件下的更高能效。
开发所有器件在一个多芯片方案中的一个巨大优势是能在门极驱动器和MOSFET之间进行设计优化。FAN6500XX采用安森美半导体的PowerTrench® MOSFET技术。这种屏蔽门（shield gate）技术提供更低的开关节点振铃和降低的击穿或交叉传导的风险。可靠性也得到了提高，因为模块化方案意味着现在电源设计中只有单个故障点。
该宽Vin(65V)产品系列按输出电流分为6A、8A或10A。所有器件之间的引脚兼容性和扩展性确保了原始设备制造商（OEM）能够为其应用选择最理想的器件，即使PCB设计已经完成。固定频率电压模式PWM控制拓扑结构支持易于补偿、低输出纹波和低电磁干扰（EMI）。FAN6500XX为高占空比(后缀“A”)和低占空比(后缀“B”)的应用提供优化的性能。
更高的功率要求通过可编程和可同步的开关频率(100 kHz-1 MHz)特性解决，当多个FAN6500XX器件被并行使用时，可以保证低的输入纹波。
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2025年7月，美光科技（纳斯达克：MU）正式发布专为OEM设计的2600 NVMe SSD。作为高性价比客户端存储解决方案，该产品首次搭载第九代QLC NAND闪存芯片（G9 QLC），结合独家自适应写入技术（Adaptive Write Technology™），在保持QLC成本优势的同时，实现了PCIe 4.0协议下的突破性性能。测试数据显示，其顺序写入速度较同类QLC/TLC产品提升63%，随机写入性能提升49%，为商用及消费级PC用户提供全新体验。
