Vishay拓宽其SOT-227产品线,包括MOSFET 和标准/FRED Pt®/TMBS®二极管

发布时间:2018-07-2 阅读量:778 来源: 我爱方案网 作者: Miya编辑

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,拓宽其SOT-227封装电源模块产品线,将有七款新器件采用ThunderFET 功率MOSFET和标准、FRED Pt 和沟槽式MOS势垒肖特基(TMBS)二极管。Vishay 的这些模块提供双片、单相桥和单开关拓扑结构,并有多种额定电流和额定电压可供选择。

采用ThunderFET功率MOSFET的VS-FC420SA15和VS-FC270SA20单开关模块是Vishay首款电压分别为150V和200V的产品。这两款器件是高性能DC/DC转换器、电池充电器、AC电机驱动器和UPS的理想选择。提供可达400A的电流,在10V时低至1.93mΩ的导通电阻,以及250nC的栅极电荷。

Vishay首款SOT-227封装采用1200V绝缘标准恢复整流器模块的VS-RA160FA120和VS-RA220FA120型号针对电动车充电器以及单相、三相电桥的 OR-ing 应用进行了优化。双片器件具有高达220A的正向电流,低至0.26 ℃/W的结到管壳热阻,以及低至1.22V的正向压降。

Vishay的VS-UFH280FA30绝缘Hyperfast整流器模块采用FRED Pt二极管,是公司第一款采用双拓扑结构的300V电源,而VS-UFH60BA65则是公司首款Ultrafast单相桥器件。这些器件适用于焊机和UPS中的低压,高频逆变器以及充电站和开关模式电源的输出整流,其具有软恢复特性,快速反向恢复时间低至58ns,电流高达280A。

对于高频开关模式电源、DC/DC转换器和等离子切割器,Vishay 新的VS-QA300FA17绝缘型 TMBS 整流器模块是该公司首款具有 170V 额定功率的模块。该器件采用双拓扑结构,具有 300A 的电流,在 200A 时 具有0.98V 的低正向压降和每个管脚0.26 ℃/W (每个模块0.13 ℃/W)的低结到管壳热阻。

竞争产品的工作温度通常为 +150 ℃,而今天发布的功率MOSFET,Hyperfast和TMBS模块可提供高温性能达+175 ℃。这些器件符合RoHS标准并已获得UL认证。

设备规格表:



新电源模块的样片和成品现已供应,大额订单的交货期为12到14周。 

相关产品白皮书:
http://www.vishay.com/ppg?96103 (VS-FC270SA20)
http://www.vishay.com/ppg?96060 (VS-FC420SA15)
http://www.vishay.com/ppg?96194 (VS-QA300FA17)
http://www.vishay.com/ppg?96330 (VS-RA160FA120)
http://www.vishay.com/ppg?96043 (VS-RA220FA120)
http://www.vishay.com/ppg?96136 (VS-UFH280FA30)
http://www.vishay.com/ppg?96135 (VS-UFH60BA65)

相关资讯
晶振行业必备术语手册:工程师必收藏(下)

在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。

晶振行业必备术语手册:工程师必收藏(上)

在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。

3点区分TCXO温补晶振与OCXO恒温晶振

电路板中常用到恒温与温补这两种晶振,恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器,既有源晶振,所以组成的振荡电路都需要电源加入才能工作

体积缩小58%!Vishay发布185℃耐受汽车级TVS解决方案​

汽车电子系统日益复杂,尤其在48V架构、ADAS与电控系统普及的当下,对瞬态电压抑制器(TVS)的功率密度、高温耐受性及小型化提出了严苛挑战。传统大功率TVS往往体积庞大,难以适应紧凑的ECU布局。威世科技(Vishay)日前推出的T15BxxA/T15BxxCA系列PAR® TVS,以创新封装与卓越性能直面行业痛点,为下一代汽车设计注入强大保护能力。

SK海力士突破6层EUV光刻技术,1c DRAM制程引领高性能内存新时代

韩国半导体巨头SK海力士近日在DRAM制造领域实现重大技术飞跃。据ZDNet Korea报道,该公司首次在其1c制程节点中成功应用6层EUV(极紫外)光刻技术,显著提升了DDR5与HBM(高带宽内存)产品的性能、密度及良率,进一步巩固其在先进内存市场的领导地位。