发布时间：2018-06-11 阅读量：865 来源: 我爱方案网 作者: lina编辑
Nexperia，作为分立、 逻辑和 MOSFET 器件的全球领导者，近日宣布 MOSFET 的LFPAK56封装系列中的两款器件目前已可投入使用， 其经改善的爬电距离与电气间隙满足额定电压在 15V 到 32V 之间的电池供电设备的 UL2595 要求。 器件与行业标准的 Power-SO8 占用空间 100% 兼容；尚无其它紧致表面安装器件能满足要求源极端头和漏极端头之间最小爬电距离与电气间隙为 1.5mm 的 UL2595 标准。
2025年第一季度，中国大陆PC市场（不含平板电脑）迎来开门红，整体出货量达到890万台，同比增长12%，呈现稳健复苏态势。与此同时，平板电脑市场表现更为亮眼，出货量达870万台，同比大幅攀升19%，显示出移动计算设备的持续受欢迎。
2025年6月17日，上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台，重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用，彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。
在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下，传统霍尔传感器受限于封装尺寸（普遍≥1.1×1.4mm）和功耗水平（通常＞4μA），难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验，推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器，通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗（后续型号将达0.1μA），实现体积较传统方案缩小60%，功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压，覆盖18-100Gs磁场阈值，提供推挽/开漏双输出模式，为微型电子设备提供底层传感支撑。
韩国科学技术院（KAIST）近期发布长达371页的技术预测报告，系统勾勒出2026至2038年高带宽内存（HBM）的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向，提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架，覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。
韩国媒体Business Korea最新披露，全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列，已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义，标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。
