慧荣科技推出最新PCIe NVMe SSD控制芯片解决方案

发布时间:2018-06-8 阅读量:1169 来源: 我爱方案网 作者:

慧荣科技近日推出一系列最新款PCIe SSD控制芯片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3规范,并以现场实测展现验证其优越效能,为PCIe SSD定义新标准。慧荣科技以最完整的PCIe NVMe SSD控制芯片解决方案,来满足全方位巿场需求,包括专为超高速Client SSD设计的SM2262EN、为主流SSD市场开发的SM2263EN,以及适用于BGA SSD的SM2263XT DRAM-Less控制芯片。



全系列均采用慧荣独有的韧体技术,包括端到端资料路径保护、SRAM ECC、结合LDPC和RAID的最新第五代NANDXtend™ ECC技术,支持全线最新3D TLC和QLC NAND,提供最完整及最稳定的资料保护,满足存储设备所需的高效稳定的需求。

SM2262EN适用于超高速PCIe SSD的解决方案

SM2262EN超高效能SSD控制芯片解决方案,支持PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和8个NAND通道设计。以最新独有的韧体技术,有效提升读写效能,最大循序读取速度高达3.5GB/s,循序写入速度达3.0GB/s,随机读写则高达420K IOPS和420K IOPS。更采用目前最先进的低功耗设计,无论是在待机还是在工作状态下,均展现超低功耗,有效减少30%的功耗,满足专业用户追求超高效能低功耗的严苛要求。

SM2263EN/SM2263XT适用于主流PCIe SSD解决方案

SM2263EN和SM2263XT支持PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和4个NAND通道设计,并提供完整韧体设计,满足主流市场的需求。SM2263XT是一款DRAM-Less SSD控制芯片,支持主机内存缓冲(HMB)架构,有效运用系统缓存区,可提升读写速度,并可封装成适用于平板电脑11.5mm x 13mm 的小尺寸BGA SSD;SM2263XT最大循序读取速度达2.4GB/s,最大循序写入速度达1.7GB/s,符合消费级固态硬盘的经济效益需求,成为主流巿场新标配。

慧荣科技产品经理郑元顺指出:“顺应大数据时代的来临,对于存储设备的效能要求提升,PCIe SSD成为巿场主流。慧荣最新一代PCIe SSD控制芯片搭配独有的韧体技术,可发挥闪存最大效能,全面提升读写速度,并支持所有主要快闪存储器大厂的3D NAND外,还包含了最新的3D QLC及Micron第三代3D TLC。慧荣完整的控制芯片解决方案,可满足不同巿场应用,更加速了PCIe SSD的普及率。”

此次慧荣另一展示重点为最新款的图形显示芯片:

支持 4K超高清图形显示芯片:SM768图形显示芯片

慧荣最新的SM768图形显示芯片能支持4K的超高清(UHD),同时拥有USB及PCIe接口,并支持多屏幕应用,提供性能极佳的图形及影像显示解决方案。SM768图形显示芯片内建慧荣科技独家研发的内容自我调整技术 (Content Adaptive Technology,CAT),可降低CPU (中央处理器)20%~65%的使用率,不但解决嵌入式系统长期以来因绘图芯片资料过大,导致CPU负载过高拖慢整体系统效能的问题,同时也让显示效能大幅提升。SM768芯片本身的体积仅有19mm X 19mm,整体设备的体积设计可以更小、更易于携带,同时低耗电特色带来低热度系统,设计者可省去散热鳍片的成本与空间。



慧荣科技显示芯片产品营销协理李祥贤指出:“高分辨率、顺畅的影像播放,如今已成为消费者对嵌入式系统的基本要求,然而随着影像技术的精进,CPU所需处理的数据日渐庞大,高度的运算负荷造成影像延迟、高耗电的状况,SM768结合CAT与ARM Cortex-R5,以软硬整合的方式,有效降低主机的CPU负载,其高速、低耗电、小体积等特色,打造出新一代的图形显示芯片。”

此外,慧荣科技还展示了为高性能存储市场提供的SD 6.1控制芯片、UFS 2.1控制芯片、USB转UFS桥接芯片、USB 3.1控制芯片及专为车载及工控市场提供的单芯片SSD、eMMC及UFS解决方案。


方案超市都是成熟的量产方案和模块,欢迎合作:

Smart LVS智能存储系列
家庭个人云智能存储解决方案
3U16Bay高性能存储服务器


快包任务,欢迎技术服务商承接:

睡眠监测数据存储转发 预算:¥100000
摄像机高清图像快速截取、存储和显示 预算:¥30000
音视频记录仪设备项目开发 预算:¥1000000


>>购买VIP会员套餐

相关资讯
中国PC市场2025年第一季度分析报告:消费驱动增长,本土品牌崛起

2025年第一季度,中国大陆PC市场(不含平板电脑)迎来开门红,整体出货量达到890万台,同比增长12%,呈现稳健复苏态势。与此同时,平板电脑市场表现更为亮眼,出货量达870万台,同比大幅攀升19%,显示出移动计算设备的持续受欢迎。

安森美携AI驱动听力解决方案亮相第九届北京国际听力学大会

2025年6月17日,上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台,重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用,彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。

国产超低功耗霍尔传感器突破可穿戴设备微型化极限——艾为电子Hyper-Hall系列技术解析与行业前景

在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下,传统霍尔传感器受限于封装尺寸(普遍≥1.1×1.4mm)和功耗水平(通常>4μA),难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验,推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器,通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗(后续型号将达0.1μA),实现体积较传统方案缩小60%,功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压,覆盖18-100Gs磁场阈值,提供推挽/开漏双输出模式,为微型电子设备提供底层传感支撑。

HBM技术演进路线图深度解析:从HBM4到HBM8的十年革新

韩国科学技术院(KAIST)近期发布长达371页的技术预测报告,系统勾勒出2026至2038年高带宽内存(HBM)的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向,提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架,覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。

三星HBM3E拿下AMD大单 288GB内存重塑AI算力格局

韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。