赛普拉斯面向汽车及工业领域推出闪存解决方案

发布时间:2018-06-7 阅读量:923 来源: 我爱方案网 作者:

赛普拉斯日前宣布,正式推出 Semper™ NOR 闪存产品系列。该产品系列面向汽车和工业领域,为用户提供业内最好的安全性和可靠性保证。Semper 闪存产品系列的架构和设计旨在打造无故障嵌入式汽车安全系统,是首款符合 ISO 26262 功能性安全标准的存储产品。


该产品系列符合汽车行业的要求和 ASIL-B 的功能性安全标准,在汽车和工业的极端温度应用环境中,仍可以提供卓越的耐用性和数据留存能力。

赛普拉斯闪存事业部副总裁 Rainer Hoehler 表示:“存储的安全性和可靠性是自动驾驶和工业应用的首要考量因素。因此,我们专门推出了全新的Semper闪存产品系列,它符合功能性安全的相关标准,从而能够规避系统故障。即使在恶劣的应用环境中,Semper 产品系列也可以提供业界最佳的读取带宽、瞬时启动、高耐用性与长期的数据存储能力,让用户享有长期可靠的性能体验。”

借助赛普拉斯的 EnduraFlex™ 架构,Semper 闪存产品可以被划分为多个分区,并对各个分区的耐用性和长期存储能力进行单独优化,从而使系统的设计得以简化。对于频繁的数据写入,通过对Semper Flash的分区配置,512Mb 密度的产品可实现高达128 万次的程序擦除,而 1Gb 密度的产品则可实现高达 256 万次程序擦除。对于代码和配置存储来说,通过配置单个分区可以实现长达25年之久的数据留存。

Semper 闪存产品系列包括了 AEC-Q100 汽车认证产品,支持 -40°C 至 + 125°C 的扩展温度范围、1.8V 和 3.0V 工作电压范围、512Mb 至 4Gb 的存储密度。该产品提供了 Quad SPI、Octal SPI 以及 HyperBus™ 接口的不同选择。其中,Octal 和 HyperBus 接口的产品作为高性能 x8 NOR 闪存符合 JEDEC xSPI 标准,并提供 400 MBps 的读取带宽。

恩智浦汽车动力系统解决方案副总裁兼总经理 Ray Cornyn 表示:“通过将恩智浦的 MCU 和SoC 产品与赛普拉斯的 HyperBus 存储产品搭配使用,恩智浦已成功满足了快速增长的对存储器的需求。具有HyperBus 接口的赛普拉斯下一代 Semper NOR 闪存产品系列,着眼于满足未来市场对安全性和可靠性的需求,因此将帮助我们获得更大的成功。”

供货情况

目前,赛普拉斯的512Mb Semper闪存产品处于为重要客户提供样品的阶段,成熟的样品将于2018 年 4 季度推出。使用 24-ball 栅阵列 (BGA)、16-pin SOIC 以及 8-contact WSON 封装的产品,预计将于 2019 年第一季度量产。

在线关注赛普拉斯

·阅读我们的 Core&Code 技术杂志和博客
·加入赛普拉斯开发者社区
·在 LinkedIn 上访问我们
·通过我们的视频库或优酷观看视频
·关注我们的微博

·关注我们的微信公众平台 CypressChina


方案超市都是成熟的量产方案和模块,欢迎合作:

Smart LVS智能存储系列
家庭个人云智能存储解决方案
3U16Bay高性能存储服务器


快包任务,欢迎技术服务商承接:

睡眠监测数据存储转发 预算:¥100000
摄像机高清图像快速截取、存储和显示 预算:¥30000
音视频记录仪设备项目开发 预算:¥1000000


>>购买VIP会员套餐

相关资讯
晶振行业必备术语手册:工程师必收藏(下)

在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。

晶振行业必备术语手册:工程师必收藏(上)

在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。

3点区分TCXO温补晶振与OCXO恒温晶振

电路板中常用到恒温与温补这两种晶振,恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器,既有源晶振,所以组成的振荡电路都需要电源加入才能工作

体积缩小58%!Vishay发布185℃耐受汽车级TVS解决方案​

汽车电子系统日益复杂,尤其在48V架构、ADAS与电控系统普及的当下,对瞬态电压抑制器(TVS)的功率密度、高温耐受性及小型化提出了严苛挑战。传统大功率TVS往往体积庞大,难以适应紧凑的ECU布局。威世科技(Vishay)日前推出的T15BxxA/T15BxxCA系列PAR® TVS,以创新封装与卓越性能直面行业痛点,为下一代汽车设计注入强大保护能力。

SK海力士突破6层EUV光刻技术,1c DRAM制程引领高性能内存新时代

韩国半导体巨头SK海力士近日在DRAM制造领域实现重大技术飞跃。据ZDNet Korea报道,该公司首次在其1c制程节点中成功应用6层EUV(极紫外)光刻技术,显著提升了DDR5与HBM(高带宽内存)产品的性能、密度及良率,进一步巩固其在先进内存市场的领导地位。