一款简单且紧凑的电源排序解决方案

发布时间:2018-05-16 阅读量:854 来源: 我爱方案网 作者:

诸如电信设备、存储模块、光学系统、网络设备、服务器和基站等许多复杂系统都采用了 FPGA 和其他需要多个电压轨的数字 IC,这些电压轨必须以一个特定的顺序进行启动和停机操作,否则 IC 就会遭到损坏。

LTC2924 是一款简单且紧凑的电源排序解决方案,采用16引脚SSOP 封装(见图1和图2)。

图1:采用外部 N 沟道 MOSFET 的典型应用

图2:采用停机引脚的 4 个电源排序器

工作原理

采用单个 LTC2924 便可轻松完成 4 个电源的排序任务,而且,同样可以很容易地把多个 LTC2924 级联起来,用于对数目不限的电源进行排序。在允许功能度略有下降的情况下,利用单个 LTC2924 就能够对 6 个电源进行排序。

LTC2924 通过输出引脚(OUT1 至 OUT4)来控制 4 个电源的启动和停机顺序以及斜坡速率。每个 OUT 引脚采用了一个与内部充电泵相连的 10μA 电流源和一个与 GND 相连的低电阻开关。这种组合使得这些输出拥有足够的灵活性,以将其直接与多个电源停机引脚或外部 N 沟道MOSFET,开关相连。

LTC2924 通过 4 个输入引脚(IN1 至 IN4)来监视每个被排序电源的输出电压。这些输入采用精准比较器和一个经过修整的带隙电压基准来提供优于 1% 的准确度。4 个通道的上电和断电电压门限均采用阻性分压器来设定。每个通道的上电门限和断电门限可单独地进行选择。

LTC2924 的定时器引脚(TMR)被用来在一个电源的启动操作完成到下一个电源的启动之间提供一个任选延迟。延迟时间通过在 TMR 引脚和地之间布设一个电容器来选择(延迟=200ms/μF),而把 TMR 引脚浮置将去除任何延迟。启动延迟与停机延迟可以不同。图 3 示出了一种停机延迟为启动延迟一半的简单电路。

图3:设置不同的 ON/OFF 延迟

LTC2924 还包括一个电源良好定时器(PGT)。每当一个电源被使能时,LTC2924 将起动 PGT。如果任一个电源未能在分配的时间间隔之内达到其规定的标称电压,则检测到一个上电故障。

结论

LTC2924 适合众多的电源排序和监视应用。由于所需的外部元件极少并采用了 16 引脚窄式 SSOP 封装,因此,基于 LTC2924 的电源排序解决方案占用的板级空间极小。

电源使能引脚无需设计师进行配置,但仍然具有足够的通用性,能够直接驱动停机引脚或外部 N 沟道 MOSFET。可简单地通过增设一个电容器来实现电源的软起动。如果需要对 4 个以上的电源进行排序,则可把多个 LTC2924 级联起来,以对几乎无限数量的电源进行排序。使 LTC2924 适合特定的应用无需借助软件,而且,可在系统集成期间简单地通过改变电阻值和电容值来对设计进行精调。由于设计简单易行、元件成本低廉且占板面积小,因而使得 LTC2924 成为电源排序和监视用途的绝佳选择。



方案超市都是成熟的量产方案和模块,欢迎合作:

桌面式、插墙式电源适配器
WiFi智能插座电源解决方案
采用 TPS65131-Q1 和电荷泵的双极 TFT LCD 电源方案


快包任务,欢迎技术服务商承接:

电源控制主板 预算:¥20000
双电源静态切换开关 预算:¥35000
超声波电源开发 预算:¥50000


>>购买VIP会员套餐


相关资讯
晶振行业必备术语手册:工程师必收藏(下)

在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。

晶振行业必备术语手册:工程师必收藏(上)

在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。

3点区分TCXO温补晶振与OCXO恒温晶振

电路板中常用到恒温与温补这两种晶振,恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器,既有源晶振,所以组成的振荡电路都需要电源加入才能工作

体积缩小58%!Vishay发布185℃耐受汽车级TVS解决方案​

汽车电子系统日益复杂,尤其在48V架构、ADAS与电控系统普及的当下,对瞬态电压抑制器(TVS)的功率密度、高温耐受性及小型化提出了严苛挑战。传统大功率TVS往往体积庞大,难以适应紧凑的ECU布局。威世科技(Vishay)日前推出的T15BxxA/T15BxxCA系列PAR® TVS,以创新封装与卓越性能直面行业痛点,为下一代汽车设计注入强大保护能力。

SK海力士突破6层EUV光刻技术,1c DRAM制程引领高性能内存新时代

韩国半导体巨头SK海力士近日在DRAM制造领域实现重大技术飞跃。据ZDNet Korea报道,该公司首次在其1c制程节点中成功应用6层EUV(极紫外)光刻技术,显著提升了DDR5与HBM(高带宽内存)产品的性能、密度及良率,进一步巩固其在先进内存市场的领导地位。