艾迈斯半导体新型XYZ颜色传感器可用于高端消费及工业应用领域

发布时间：2018-05-9 阅读量：1109 来源: 我爱方案网作者:

艾迈斯半导体宣布推出一款新型的XYZ三刺激颜色传感器AS73211，相较于以往其他同类型器件，该传感器可提供更高灵敏度，并具备更广泛的转换时间选择。

AS73211不仅扩展了艾迈斯半导体由TCS3430和AS7261组成的真彩传感器产品组合，同时还将满足高端显示器、聚光灯以及色度计的需求。

AS73211属于艾迈斯半导体JENCOLOR®颜色传感器系列，采用了玻片滤光技术，因此能提供增强的光学特性。按照工业标准CIE 1931中人眼功能三刺激模型的定义，其实现的光线和颜色测量恰好符合典型的人眼感光模式。

这款新型传感器可在亮度级0.4勒克司至208千勒克司范围内精确测量颜色——具有250,000,000:1的宽动态范围，能在月光到明亮日光这段广泛变化的照明环境下有效工作。

由于具有高灵敏度，AS73211特别适用于对黑暗物体和物质进行精密测量，比如显示屏上的黑色像素、暗哑皮肤、黑色颜料或土壤，即使在微光环境下也可以实现。同时传感器中集成的24位光-数字转换器具备在125微秒至16秒范围内配置转换时间的能力，便于用户调整操作以使测量速度和测量精度达到最佳平衡。

AS73211的低功耗与自动省电模式可支持低能耗手持设备应用。将受益于AS73211的高性能和小尺寸的应用包含：

医疗及高端专业显示器，用于白平衡和显示色彩管理
聚光灯、投影系统和视频墙模块，用于大功率LED控制
专业的发肤颜色分析仪
专业的工业色彩提取和匹配设备
航空显示器和照明控制——单片AS73211即可支持对极亮至极暗的整体输出范围进行反馈控制

在上述及其他应用中，AS73211的集成硅干涉滤光片可在不同的时间和温度范围内提供极其稳定的性能，且在终端产品的整个使用寿命期间无需再进行校准。

该器件的超高性能部分归功于芯片表面罕见的大面积传感区。然而，艾迈斯半导体采用了先进的电气设计和光学设计，能够将其集成在一个紧凑的QFN-16封装中，使其可以有效防止紫外线照射的影响。

滤光片具有稳定的热学特性，这意味着艾迈斯半导体能够确保其推出的AS73211能在-40°C至125°C的宽温度范围内进行工作。而基于AS73211集成温度传感器读数的内部补偿机制，可在整个工作温度范围上保持颜色测量的精确度。

艾迈斯半导体市场营销经理Markus Busz表示：“随着AS73211的推出，艾迈斯半导体正不断扩展XYZ传感器产品组合来解决高端消费和工业设备领域的应用需求。艾迈斯半导体采用了独特设计，通过大面积检测器区域及集成式24位光-数字转换器，生产出了市面上灵敏度最高且动态范围最宽的一款XYZ传感器。”

AS73211颜色传感器目前可实现批量生产，其评估板可从艾迈斯半导体产品授权分销商处获取。

方案超市都是成熟的量产方案和模块，欢迎合作：

TPMS 胎压传感器
 低功耗蓝牙4.0运动传感器
 MEMS加速度传感器

快包任务，欢迎技术服务商承接：

阵列式红外传感器安防系统预算：￥30000
传感器预算：￥100000
CMOS图像传感器FPGA驱动开发预算：￥5000

>>购买VIP会员套餐

相关资讯

Diodes Q2财务报告：营收超预期增长，连续三季度同比上扬

Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩，标志着其连续三个季度实现同比增长，显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告，该公司在多个关键财务指标上表现稳健，受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为，这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。

MACOM Q3营收同比激增32.3%，射频芯片龙头再创增长新高

美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示，当季实现营收2.521亿美元，较去年同期大幅增长32.3%，创下近三年最高单季增速。

Microchip复苏计划成效显著：Q1营收环比增10.8%，库存大幅优化，AI/国防订单强劲

美国微芯科技公司（Microchip Technology）于8月7日发布了其2026财年第一季度（截至2025年6月30日）的财务报告。报告显示，公司业绩呈现显著复苏迹象，多项关键指标环比改善，并超出此前修订后的业绩指引。

产需趋向平衡！赛力斯7月新能源销量占比突破93%

8月8日，赛力斯集团（601127）公布2025年7月产销快报。数据显示，尽管整体市场仍承压，集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性，单月销量同比提升5.7%，而传统燃油车型业务持续收缩，反映出业务转型的深化推进。

INS1011SD + VGaN™：颠覆传统BMS的低边保护方案

在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下，传统的硅基（Si）功率器件，特别是在双向能量流动应用（如电池管理系统BMS）中常用的背靠背MOSFET方案，逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓（VGaN™）器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸，成为理想的替代者。然而，充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科（Innoscience）作为全球领先的VGaN™ IDM厂商，推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD，标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟，为双向电力电子系统设计带来革命性突破。