发布时间:2018-05-8 阅读量:1018 来源: 我爱方案网 作者: Miya编辑
全球第一大芯片自动化设计解决方案提供商及全球第一大芯片接口IP供应商、信息安全和软件质量的全球领导者Synopsys今日宣布, Synopsys设计平台中的所有工具(采用 Fusion 技术)已通过业界最全面的独立 ISO 26262 汽车功能安全标准认证。该认证有助于工程师在设计汽车用半导体组件与电子系统时可满足汽车行业最严格的安全标准要求。获 ANSI 认可的汽车及其他产业的功能安全认证机构 exida 对Synopsys的设计平台进行了全面的 ISO 26262 评估,确保在汽车设计开发中采用的Synopsys 工具与流程符合由 ASIL A 到 ASIL D 级的安全要求。这些流程属于同时满足 ISO 26262:2011 与即将推出的第二版 ISO 26262:2018 两版标准最严要求的首批流程。
瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation) 广泛解决方案业务部共享研发二分部数字设计技术总监 Hideyuki Okabe 表示:“Renesas 对设计流程中使用的所有工具长期进行 ISO 26262 评估考核。Synopsys 设计平台通过该项标准认证使我们倍感振奋,因为这无论在当前还是将来都有助于我们开展汽车电子安全相关设计,满足 ADAS 和自动驾驶应用的需求。”
上述设计流程认证对已通过 ISO 26262 独立认证的完整工具组合形成了补充。认证涵盖 40 款工具,包括定制、模拟/混合信号 (AMS)、数字实现、签核验收与库开发产品等,这一前所未有的认证确保了Synopsys拥有业界最全面、最广泛的经ISO 26262 认证的 EDA 设计工具组合。ISO 26262 标准明确了安全相关性汽车系统与组件开发中必须满足的要求,包括强制要求的软件工具验证与潜在的设计工具认证等。Synopsys 已提供通过上述认证的可下载的套件,包括业界最详尽功能安全手册,明确阐述具体工具用例下对应的使用条件与假设,以及潜在的软件工具故障,以便帮助终端用户进行工具部署,推进认证工作。
exida 首席安全专家兼经理 Alexander Griessing 认为:“结合 ISO 26262 标准的目标与要求,我们与 Synopsys 合作评估了其 EDA 工具与工具链。我们能够确认其工具链中的所有软件工具均满足工具可靠级别一级水平 (TCL 1),可用于半导体的开发,分配需求达到最高的安全完整性级别 ASIL D 级水平。Synopsys 对潜在的软件工具故障进行了非常详细的分析,明确了有效的预防与检测方法。功能安全手册总结了有关要点,为使用 Synopsys 工具的用户提供了明确实用的指导。”
群联电子总经理欧阳志光指出:“在采用了Synopsys 通过 ISO 26262 认证的测试平台后,我们的测试覆盖率与组件生产有了显著改进。Synopsys 设计平台工具与流程认证帮助我们确保自身汽车设计流程全面符合 ISO 26262 标准要求。”
重点:
• 采用 Synopsys 设计平台并搭配 Fusion 技术的完整流程,经领先汽车功能安全认证公司 exida 的独立认证,符合 ISO 26262 标准要求
• 工具与完整流程认证的独特组合可确保汽车电子设计采用符合 ISO 26262 标准的实现工具,以满足 ASIL A 到 ASIL D 级的汽车完整安全性等级要求
• 认证涵盖 40 款工具,包括定制、模拟/混合信号 (AMS)、数字实现、签核验收与库开发流程等
• 现提供功能安全套件下载
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。
美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。
8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。
在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。