发布时间：2018-04-11 阅读量：1010 来源: 我爱方案网 作者:
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
大联大品佳代理的英飞凌的这款SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。还能带来诸多益处，如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量，便于打造更小、更轻的系统，从而减少运输工作量，并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。
这款全新的MOSFET融汇了Infineon在SiC领域多年的开发经验，基于先进的沟槽半导体工艺，代表着Infineon CoolSiC产品家族的最新发展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）额定值为45mΩ。它们将采用3引脚和4引脚TO-247封装，4引脚封装有一个额外的源极连接端子（Kelvin），作为门极驱动的信号管脚，以消除由于源极电感引起的压降的影响，这可以进一步降低开关损耗，特别是在更高开关频率时。
图示1-大联大品佳集团力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的主要产品
特色
Infineon的CoolSiC™ MOSFET采用沟槽栅技术，兼具可靠性与性能优势，在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。该MOSFET完全兼容通常用于驱动IGBT的+15 V/-5V电压。它们将4V基准阈值额定电压（Vth）与目标应用要求的短路鲁棒性和完全可控的dv/dt特性结合起来。与Si IGBT相比的关键优势包括：低温度系数的开关损耗和无阈值电压的静态特性。
图示2-大联大品佳集团力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的产品规格
国际半导体产业协会（SEMI）最新报告指出，生成式AI需求的爆发正推动全球芯片制造产能加速扩张。预计至2028年，全球12英寸晶圆月产能将达1,110万片，2024-2028年复合增长率达7%。其中，7nm及以下先进制程产能增速尤为显著，将从2024年的每月85万片增至2028年的140万片，年复合增长率14%（行业平均的2倍），占全球总产能比例提升至12.6%。
据供应链消息确认，高通新一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 2（代号SM8850）将首次采用双轨代工策略：台积电负责基于N3P（3nm增强版）工艺的通用版本，供应主流安卓厂商；而三星则承接其2nm工艺（SF2）专属版本，专供2026年三星Galaxy S26系列旗舰机。此举标志着高通打破台积电独家代工依赖，三星先进制程首次打入头部客户供应链。
在AI算力需求爆发性增长的浪潮下，存储巨头美光科技交出超预期答卷。其2025财年第三季度营收达93亿美元，创历史新高，其中高带宽内存（HBM）业务以环比50%的增速成为核心引擎。凭借全球首款12层堆叠HBM3E的量产突破，美光不仅获得AMD、英伟达等头部客户订单，更计划在2025年末将HBM市占率提升至24%，直逼行业双寡头。随着下一代HBM4基于1β制程的性能优势验证完成，一场由技术迭代驱动的存储市场格局重构已然开启。
随着汽车智能化升级，高保真低延迟高集成度的音频系统成为智能座舱的核心需求。意法半导体（ST）推出的HFDA80D和HFDA90D车规级D类音频功放，以2MHz高频开关技术数字输入接口及先进诊断功能，为车载音频设计带来突破性解决方案。
随着汽车智能化电动化进程加速，自动驾驶（AD）和高级驾驶辅助系统（ADAS）等关键技术模块已成为现代车辆标配。这些系统依赖于大量高性能电子控制单元（ECU）和传感器，导致车内电子元件数量激增。作为电路稳压滤波的核心元件，多层片式陶瓷电容器（MLCC）的需求随之水涨船高，尤其是在集成电路（IC）周边，对大容量电容的需求尤为迫切。然而，有限的电路板空间与日益增长的元件数量及性能要求形成了尖锐矛盾，元件的高性能化与小型化成为行业亟待攻克的关键难题。
