发布时间：2018-04-11 阅读量：963 来源: 我爱方案网 作者:
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
大联大品佳代理的英飞凌的这款SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。还能带来诸多益处，如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量，便于打造更小、更轻的系统，从而减少运输工作量，并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。
这款全新的MOSFET融汇了Infineon在SiC领域多年的开发经验，基于先进的沟槽半导体工艺，代表着Infineon CoolSiC产品家族的最新发展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）额定值为45mΩ。它们将采用3引脚和4引脚TO-247封装，4引脚封装有一个额外的源极连接端子（Kelvin），作为门极驱动的信号管脚，以消除由于源极电感引起的压降的影响，这可以进一步降低开关损耗，特别是在更高开关频率时。
图示1-大联大品佳集团力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的主要产品
特色
Infineon的CoolSiC™ MOSFET采用沟槽栅技术，兼具可靠性与性能优势，在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。该MOSFET完全兼容通常用于驱动IGBT的+15 V/-5V电压。它们将4V基准阈值额定电压（Vth）与目标应用要求的短路鲁棒性和完全可控的dv/dt特性结合起来。与Si IGBT相比的关键优势包括：低温度系数的开关损耗和无阈值电压的静态特性。
图示2-大联大品佳集团力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的产品规格
在万物互联与智能化浪潮席卷全球的今天，新唐科技以颠覆性创新奏响行业强音。4月25日，这场历时10天、横跨七城的科技盛宴在深圳迎来高潮，以"创新驱动AI、新能源与车用科技"为主题，汇聚全球顶尖行业领袖，首次公开七大核心产品矩阵，展现从芯片设计到智能生态的全链条创新能力，为半导体产业转型升级注入新动能。
在2025年北美技术研讨会上，台积电正式宣布其A14（1.4nm）工艺将于2028年量产，并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后，折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。
随着AIoT技术的快速落地，智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板，搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器，以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置，成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境，可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景，助力产业智能化升级。
作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业，荷兰ASM国际（ASMI）近日发布2024年第一季度财报，展现强劲增长动能。财报显示，公司当季新增订单额达8.34亿欧元（按固定汇率计算），同比增长14%，显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破，同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。
随着汽车智能化加速，车载摄像头、激光雷达、显示屏等传感器数量激增，数据传输带宽需求呈指数级增长。传统国际厂商基于私有协议（如TI的FPD-Link、ADI的GMSL）垄断车载SerDes市场，导致车企供应链弹性不足、成本高企。2025年4月，纳芯微电子发布基于HSMT公有协议的全链路国产化SerDes芯片组（NLS9116加串器与NLS9246解串器），通过协议解耦、性能优化与供应链自主可控，为ADAS、智能座舱等场景提供高性价比解决方案，标志着国产车规级芯片从“跟跑”迈向“并跑” 。
