效率94%!PI发布反激式开关电源“终极方案”

发布时间:2017-10-11 阅读量:1576 来源: 发布人:

反激式开关电源的效率的极限是多少?这个问题最新的答案是94%——Power Integrations公司(以下简称PI公司)刚刚发布的InnoSwitch 3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC可实现高达94%的效率,与其上一代InnoSwitch系列产品相比,电源损耗大幅降低25%!PI将其称为“终极反激式方案”。下面我们通过一组图,来看看InnoSwitch 3这个开关电源“神器”究竟什么样!

做电源设计的人都晓得效率的重要性。在电源转换过程中,更高的效率意味着更少的热量耗散,也意味着无需更大的体积和表面积去散热,不需要散热器也可以设计更高功率的产品,这对于电源产品的“身材”和成本控制都大有好处。从下面这个表中可以看到,使用效率94%的InnoSwitch 3设计的电源适配器,由于耗散热能的减少,和旧款相比体积只有其30%。所以采用InnoSwitch 3可以轻松设计出无散热片、结构紧凑的65 W电源,它特别适合对能耗、外形尺寸或散热要求比较严苛的电源应用,特别是那些必须符合强制性总能耗(TEC)标准的电源产品。

电源设计


关键是,InnoSwitch 3在很宽的输入电压范围内,都有很稳定的效率表现,这就比较厉害了。下图是以20V/30W敞开式电源为例的测试结果。

电源设计

在宽负载范围内,InnoSwitch 3的效率表现也很抢眼,下图这个笔记本适配器方案中,即使在10%的低负载下,电源效率仍可达90%以上,大大高于欧盟和美国的能源标准。

电源设计

InnoSwitch 3的空载功耗也非常出色,以45W的充电器为例,19V输出的空载功耗小于30mW,5V输出的空载功耗更是低于20mW。


大家一定好奇,InnoSwitch 3是如何做到如此高效率的?特别是在上一代InnoSwitch产品已接近极限的92%效率基础上,如何又挖掘出了2%的提升空间?下图列示出了InnoSwitch 3采用的一些关键的技术。其中,有两点对2%的效率提升起到关键作用:
1)由于采用的专利的开关和控制技术,CCM和准谐振开关,优化了效率。
2)由于在芯片中初级侧集成了功率MOSFET,次级侧也采用了同步整流MOSFET,所以通过InnoSwitch 3一颗芯片的控制器可以同时控制初级和次级两个MOSFET,优化它们的开关时序,更精准地控制同步整流的导通时间,提升了效率。

电源

除了高效率以外,InnoSwitch 3在实现精准的电压和电流调整方面,也是独树一帜。这里不能不再次提起PI引以为豪的FluxLink磁感耦合技术,这一创新的初级次级之间的通信反馈技术,使得电源系统既具备了次级侧控制方式的性能优势,无需光耦等额外的元器件,又具有初级侧驱动方式的简单性特征。采用FluxLink技术的InnoSwitch 3直接跨接于安规隔离带之间,直接监测输出,同时控制初级与次级开关,实现更高的性能。



InnoSwitch 3还具备出色的动态相应特性。常规的电源负载阶跃可导致输出电压的漂移且恢复缓慢,负载向下阶跃会造成输出过冲,向上阶跃会造成输出下冲,而InnoSwitch 3由于采用了优化的控制模式,可快速响应负载的变化,从下图可以看出即使出现100%的负载波动,也看不到明显的输出变化。


传统上,想要改善动态响应,需要在电路中增加输出电容或者二次稳压,而这些工作都被InnoSwitch 3一个器件搞定了,对开发者来说当然更划算。



此外,InnoSwitch 3还集成了完善的保护特性,包括无损耗输入过压及欠压保护、输出过压保护、过功率保护、过流保护、过温保护以及输出整流管短路保护。从下图可以看出,由于次级采用了同步整流短路保护,所以可以省去初级TVS箝位电路,给最终的产品和方案带来更好的经济性。



再来看看InnoSwitch 3的InSOP-24封装,这是一种可提供高效散热的薄型封装方案,为PCB板的布局带来了很大的便利性。同时该封装形式在初级侧与次级侧之间具有更宽的11.5 mm爬电距离和电气间隙,可轻松满足中国5000米海拔的CQC要求,可靠性更高,抗浪涌及ESD能力更强。


InnoSwitch 3的特性,决定了其应用范围十分广泛。与InnoSwitch一样,InnoSwitch 3也分别针对不同目标应用,提供了三个版本。详见下图。



最后我们上一张完整的InnoSwitch 3与InnoSwitch的比较图。从中我们的赶脚是,在竞争激烈的电源管理市场,“没有一个器件能够随随便便成功”,正是对一个个细节的“斤斤计较”,才成就了InnoSwitch 3“终极反激式方案”的江湖地位。


相关资讯
“中国芯”逆袭时刻:新唐携7大新品打造全场景AIoT解决方案矩阵

在万物互联与智能化浪潮席卷全球的今天,新唐科技以颠覆性创新奏响行业强音。4月25日,这场历时10天、横跨七城的科技盛宴在深圳迎来高潮,以"创新驱动AI、新能源与车用科技"为主题,汇聚全球顶尖行业领袖,首次公开七大核心产品矩阵,展现从芯片设计到智能生态的全链条创新能力,为半导体产业转型升级注入新动能。

半导体先进制程技术博弈:台积电、英特尔与三星的差异化路径

在2025年北美技术研讨会上,台积电正式宣布其A14(1.4nm)工艺将于2028年量产,并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后,折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。

嵌入式主板EMB-3128:轻量级边缘计算的工业级解决方案

随着AIoT技术的快速落地,智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板,搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器,以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置,成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境,可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景,助力产业智能化升级。

从ASMI财报看行业趋势:AI芯片需求爆发如何重塑半导体设备市场?

作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业,荷兰ASM国际(ASMI)近日发布2024年第一季度财报,展现强劲增长动能。财报显示,公司当季新增订单额达8.34亿欧元(按固定汇率计算),同比增长14%,显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破,同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。

车规级SerDes国产替代提速:解析纳芯微NLS9116/NLS9246技术优势与市场潜力

随着汽车智能化加速,车载摄像头、激光雷达、显示屏等传感器数量激增,数据传输带宽需求呈指数级增长。传统国际厂商基于私有协议(如TI的FPD-Link、ADI的GMSL)垄断车载SerDes市场,导致车企供应链弹性不足、成本高企。2025年4月,纳芯微电子发布基于HSMT公有协议的全链路国产化SerDes芯片组(NLS9116加串器与NLS9246解串器),通过协议解耦、性能优化与供应链自主可控,为ADAS、智能座舱等场景提供高性价比解决方案,标志着国产车规级芯片从“跟跑”迈向“并跑” 。