技术方案:如何由MOS管、变压器搭建的逆变器电路?

发布时间:2016-08-1 阅读量:1677 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】这里介绍的逆变器主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。

逆变器,别称为变流器、反流器,是一种可将直流电转换为交流电的器件,由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成,主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡及输出回路、负载等部分,可分为半桥逆变器、全桥逆变器等。目前已广泛适用于空调、家庭影院、电脑、电视、抽油烟机、风扇、照明、录像机等设备中。

逆变变压器原理

它的工作原理流程是控制电路控制整个系统的运行,逆变电路完成由直流电转换为交流电的功能,滤波电路用于滤除不需要的信号,逆变器的工作过程就是这样子的了。其中逆变电路的工作还可以细化为:首先,振荡电路将直流电转换为交流电;其次,线圈升压将不规则交流电变为方波交流电;最后,整流使得交流电经由方波变为正弦波交流电。

详解逆变器电路工作原理

这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。
如何由MOS管、变压器搭建的逆变器电路?
2.工作原理

这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。2.1.方波信号发生器(见图2)
如何由MOS管、变压器搭建的逆变器电路?
这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻,用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC.图示电路的最大频率为:fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz.由于元件的误差,实际值会略有差异。其它多余的反相器,输入端接地避免影响其它电路。
如何由MOS管、变压器搭建的逆变器电路?
由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V,为充分驱动电源开关电路,这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V.如图3所示。

2.3MOS场效应管电源开关电路

下面简述一下用C-MOS场效应管(增强型MOS场效应管)组成的应用电路的工作过程(见图4)。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时,P沟道MOS场效应管导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,N沟道MOS场效应管导通,输出端与电源地接通。在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
如何由MOS管、变压器搭建的逆变器电路?
由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程(见图5)。工作原理同前所述。这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时,会在变压器的高压侧感应出高压交流电压,完成直流到交流的转换。这里需要注意的是,在某些情况下,如振荡部分停止工作时,变压器的低压侧有时会有很大的电流通过,所以该电路的保险丝不能省略或短接。
如何由MOS管、变压器搭建的逆变器电路?
3、制作要点

电路板见图6。所用元器件可参考图7。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。P沟道MOS场效应管(2SJ471)最大漏极电流为30A,在场效应管导通时,漏-源极间电阻为25毫欧。此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗。N沟道MOS场效应管(2SK2956)最大漏极电流为50A,场效应管导通时,漏-源极间电阻为7毫欧,此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W.由此我们也可知在同样的工作电流情况下,2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应注意这点。图8展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器(100mm×100mm×17mm)上的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大,出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。
如何由MOS管、变压器搭建的逆变器电路?

如何由MOS管、变压器搭建的逆变器电路?

如何由MOS管、变压器搭建的逆变器电路?
4.逆变器的性能测试

测试电路见图9.这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大(一般大于100A)的12V汽车电瓶,可为电路提供充足的输入功率。测试用负载为普通的电灯泡。测试的方法是通过改变负载大小,并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。输出电压随负荷的增大而下降,灯泡的消耗功率随电压变化而改变。我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系。但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变,并且输出电压、电流也不是正弦波,所以这种的计算只能看作是估算。
如何由MOS管、变压器搭建的逆变器电路?
以负载为60W的电灯泡为例:假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。因为R灯=V2/W=2102/60=735Ω,所以在电压为208V时,W=V2/R=2082/735=58.9W.由此可折算出电压和功率的关系。通过测试,我们发现当输出功率约为100W时,输入电流为10A.此时输出电压为200V。
相关资讯
美光Q4营收展望107亿美元超预期,AI存储需求引爆股价

美光科技(Micron Technology)于6月25日发布最新财报,其中对2024财年第四季度的业绩展望显著超越市场预期。公司预计第四财季营收将达约107亿美元,远高于华尔街分析师普遍预测的98.9亿美元。受此积极信号影响,美光股价在盘后交易时段应声上涨,凸显市场对其增长前景的强烈信心。

三星引入三星显示为XR头显供应OLEDoS,索尼独供格局生变

三星电子正计划调整其首款Android XR头显Project Moohan(代号“无限”)的屏幕供应链策略,拟将关联企业三星显示纳入OLEDoS(硅基OLED)面板供应商体系,与索尼形成“双供应商”结构。此举旨在打破索尼的独家供应局面,提升供应链韧性及议价能力。尽管三星显示加入,索尼仍将保持第一供应商地位,但三星电子借此强化了长期布局XR市场的战略基础。

先进封装驱动芯片性能革命,台积电产能扩张应对AI浪潮

台积电与苹果共同开发的晶圆级多芯片模块(WMCM)技术标志着先进封装的新高度。作为InFO-PoP的升级版,WMCM融合CoW(Chip on Wafer)与RDL(Redistribution Layer)等尖端工艺。其核心创新在于采用平面封装架构取代传统垂直堆叠逻辑芯片与DRAM,显著提升散热效率与整体性能。这项独家技术将成为苹果下一代iPhone搭载的A20处理器(预计采用2nm制程)的关键性能支柱。同时,苹果自研的AI服务器芯片正稳步导入台积电的3D晶圆堆叠SoIC封装技术,进一步强化计算密度和能效。

算力、智能与控制的融合:英特尔4U工控机、RK3568主板、HPM伺服板的全面对比

在现代工业自动化向智能化、网络化、柔性化加速演进的大背景下,高性能、高可靠、特定场景优化的核心硬件设备构成了系统的“大脑”、“眼睛”和“四肢”。英特尔4U工控机(IPC-615H5)、RK3568高性能监控主板和HPM6400/6300伺服电机控制板分别代表了通用工业计算平台、边缘AI视觉处理平台和高精度运动控制平台的最典型形态。它们在各自的领域拥有独特优势,共同支撑起复杂的工业控制闭环。本文旨在对这三款核心产品进行全方位对比分析,剖析其技术特点、优劣势、应用场景及市场前景,为工业自动化方案选型提供专业参考。

应对AI算力激增:安森美推出全链路数据中心电源解决方案与指南

人工智能技术,特别是生成式AI和大规模机器学习模型的迅猛发展,对全球数据中心的基础设施提出了前所未有的高要求。海量数据的实时处理与复杂模型训练,导致数据中心计算负载激增,随之而来的功耗攀升已成为产业亟待解决的核心瓶颈。这不仅推高了运营成本,也对电网承载能力和可持续发展目标构成严峻挑战。如何在高性能计算需求持续增长的同时,有效控制并降低能源消耗,成为AI数据中心建设与升级的关键命题。