直流充电桩典型电源解决方案分享

发布时间:2016-05-27 阅读量:1421 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】根据进入汽车电流种类不同,充电桩可分为交流充电桩和直流充电桩两种。直流充电桩是固定安装在电动汽车外、与交流电网连接,为电动汽车动力电池提供大功率直流电源的供电装置。
 
直流充电桩的电气结构及工作原理
 
直流充电桩的输入电压采用三相四线380VAC(±15%),频率50Hz,输出可调的直流电,直接为电动汽车的动力电池充电。
 
直流充电桩采用三相四线制供电,可以提供足够大的功率,输出的电压和电流调整范围大(适用于乘用车和大巴车的电压需求),可以实现快充。直流充电桩与交流充电桩的计量和通信及扩展计费功能类似,其电气结构图如下图1所示:
 
图1:直流充电桩电气结构
 
直流充电桩工作原理:三相 380V 交流电经过EMC等防雷滤波模块后进入到三相四线制电表中,三相四线制电表监控整个充电机工作时的实际充电电量。且根据实际充电电流及充电电压的大小,充电机往往需要并联使用,因此就要求充电机拥有能够均流输出的功能,充电机输出经过充电枪直接给动力电池进行充电。
 
在直流充电桩工作时,辅助电源给主控单元、显示模块、保护控制单元、信号采集单元及刷卡模块等控制系统进行供电。另外,在动力电池充电过程中,辅助电源给BMS系统供电,由BMS系统实时监控动力电池的状态。
 
直流充电桩典型电源解决方案
 
下面为比较典型的直流充电桩的电源解决方案,该方案只是简单地画出了一台充电机的应用。在实际应用中,一台充电机输出的十几千瓦的功率是不够的,往往需要并联3台左右充电机,以满足大电流输出的要求。如下图2所示:
 
图2:直流充电桩典型电源解决方案
 
供电说明:
 
电源部分中,首先需考虑大电流充电情况下BMS的辅助供电。在最新的国标中将此电源统一标定为12V10A的电源,且后续在BMS管理方面,乘用车与大巴车的BMS供电系统将统一标准。因此,此处推荐选择具有主动式PFC功能的LI120-10B12输出12V给BMS系统供电。
 
主控系统的电源部分,推荐LH40-10B24给HMI显示屏以及继电器供电。再通过K7812-500R3和K7805-500R3转换为12V和5V分别给监控安防单元和MCU供电。
 
在通信部分中,本方案应用了三种通信,CAN通信、485通信和232通信。CAN通信连接了车载BMS、非车载充电机以及主控系统;485通信连接了刷卡模块、电表等;显示屏的串口通常采用232的通信方式。基于内部的点对点通信,有时也可采用非隔离的通信方式。
 
电源推荐及说明:
 
相关阅读:

操作简单、实用性高:电动汽车智能充电桩设计分享

充电桩的三种网络接入方案及其优缺点对比
相关资讯
中国PC市场2025年第一季度分析报告:消费驱动增长,本土品牌崛起

2025年第一季度,中国大陆PC市场(不含平板电脑)迎来开门红,整体出货量达到890万台,同比增长12%,呈现稳健复苏态势。与此同时,平板电脑市场表现更为亮眼,出货量达870万台,同比大幅攀升19%,显示出移动计算设备的持续受欢迎。

安森美携AI驱动听力解决方案亮相第九届北京国际听力学大会

2025年6月17日,上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台,重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用,彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。

国产超低功耗霍尔传感器突破可穿戴设备微型化极限——艾为电子Hyper-Hall系列技术解析与行业前景

在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下,传统霍尔传感器受限于封装尺寸(普遍≥1.1×1.4mm)和功耗水平(通常>4μA),难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验,推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器,通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗(后续型号将达0.1μA),实现体积较传统方案缩小60%,功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压,覆盖18-100Gs磁场阈值,提供推挽/开漏双输出模式,为微型电子设备提供底层传感支撑。

HBM技术演进路线图深度解析:从HBM4到HBM8的十年革新

韩国科学技术院(KAIST)近期发布长达371页的技术预测报告,系统勾勒出2026至2038年高带宽内存(HBM)的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向,提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架,覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。

三星HBM3E拿下AMD大单 288GB内存重塑AI算力格局

韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。