发布时间：2016-05-10 阅读量：783 来源: 我爱方案网 作者:
图1：三菱电机功率模块技术研讨会现场
三菱电机半导体深耕电力电子行业多年，功率半导体产品在行业内享有盛名，其先进技术的研发与推广离不开对电力电子市场的深度把握。为了让来宾们更加深入地了解电力电子的最新发展趋势，三菱电机此次还特别邀请了清华大学电机系教授、博士生导师、IEEE北京分会主席赵争鸣教授出席并为大家做了“电力电子研究热点”的专题讲座，赵争鸣教授熟络国际电力电子先进技术热点，同时也对于国内电力电子的市场需求与研究热点有着深刻的认识。从现代电网中的电力电子到能源互联网中的电力电子，从能量路由器到无线电传输高频电源，赵教授的精彩演讲把大家带入电力电子的前沿世界，引发了大家共同的探讨与思考。
图2：清华大学赵争鸣教授发表《电力电子研究热点》主题演讲
随后，三菱电机半导体技术总监宋高升先生发表了“功率模块产品线及技术趋势”的主题演讲，深入浅出地介绍了三菱电机功率器件的发展历程、产品分类及最新技术趋势。让与会者对三菱电机的半导体产品有了一个全面的了解。
图3：三菱电机半导体大中国区应用技术总监宋高升先生介绍“功率模块产品线及技术趋势”
三菱电机功率器件制作所应用技术部部长山田顺治先生就第7代IGBT产品做了详细的介绍，三菱电机于去年开发出了配置第7代IGBT硅片的工业用功率模块，该模块不仅配置了新一代IGBT硅片，还采用了新的封装构造。其中最主要的特点是采用了一体化基板技术，提高了可靠性，还降低了内部电感，切实有效地助力于通用变频器、伺服驱动器、电梯等工业设备降低损耗、减小体积、提高可靠性。
此外，三菱电机半导体大中国区的其他资深工程师还为大家介绍了一系列新产品，诸如用于光伏逆变器的三电平IGBT模块，用于变频家电的DIPIPMTM，用于工业传动的G1系列IPM，用于电动汽车驱动的J1系列EV PM，用于铁道牵引和电力系统的X系列HVIGBT以及全系列SiC功率模块产品等。最后，为了让客户更好地应用三菱电机功率模块产品，将产品效用最大化，三菱电机的工程师还向与会者介绍了功率模块的失效分析和预防并且现场演示了功耗仿真软件。
会后，许多来宾仍充满交流的热情，对此次研讨会内容踊跃地发表了提问，纷纷表示此次功率模块产品技术的详解非常精彩，不仅加深了对三菱电机半导体产品技术的了解，同时也对电力电子的技术发展趋势有了更加深刻的理解。
三菱电机半导体大中国区总经理四个所大亮先生在闭幕致辞中表示，三菱电机一直非常重视与客户的沟通与交流，希望每年都能以这样的形式向大家传递最新产品技术，介绍行业发展趋势。三菱电机也希望能以更好的产品及服务来回馈大家，同时也为一个更加绿色环保的社会作贡献！
图4：三菱电机半导体大中国区总经理四个所大亮先生致闭幕词
图5：研讨会现场来宾踊跃提问
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩，标志着其连续三个季度实现同比增长，显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告，该公司在多个关键财务指标上表现稳健，受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为，这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示，当季实现营收2.521亿美元，较去年同期大幅增长32.3%，创下近三年最高单季增速。
美国微芯科技公司（Microchip Technology）于8月7日发布了其2026财年第一季度（截至2025年6月30日）的财务报告。报告显示，公司业绩呈现显著复苏迹象，多项关键指标环比改善，并超出此前修订后的业绩指引。
8月8日，赛力斯集团（601127）公布2025年7月产销快报。数据显示，尽管整体市场仍承压，集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性，单月销量同比提升5.7%，而传统燃油车型业务持续收缩，反映出业务转型的深化推进。
在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下，传统的硅基（Si）功率器件，特别是在双向能量流动应用（如电池管理系统BMS）中常用的背靠背MOSFET方案，逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓（VGaN™）器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸，成为理想的替代者。然而，充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科（Innoscience）作为全球领先的VGaN™ IDM厂商，推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD，标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟，为双向电力电子系统设计带来革命性突破。
