专家分析:LED靠硅衬底打个翻身仗还要走多久?

发布时间:2016-03-9 阅读量:742 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】硅衬底LED制造技术是不同于蓝宝石和碳化硅衬底的第三条LED芯片制造技术路线,成本低廉,能使LED芯片成本比蓝宝石衬底芯片大幅降低;二是器件具有优良的性能,芯片的抗静电性能好,寿命长。那么LED为了打个翻身仗靠它行不?

一只每家每户都会有的LED小灯泡,究竟富含了多少神奇的科技元素?LED照明是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次产业革命,具有“超低能耗、超高光效、超长寿命、超级环保、超广应用”等显著优势。如今,国家发改委已经选定LED作为“十三五”节能减排的重点产品,“十三五”规划重点专项已将LED照明列入其中。

全国人大代表、河北鹏远企业集团董事长朱立秋提出,建议将加快硅衬底LED技术大规模产业化发展步伐,上升为“十三五”时期的国家战略,让改写世界LED照明历史的“中国芯”在中国优先得到可持续发展,逐步让“中国芯”走向世界,用“中国芯”照亮世界。

2016年1月,南昌大学副校长江风益教授团队“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”项目获得2015国家技术发明奖惟一一等奖。这项改写了半导体照明历史的颠覆性新技术,改变了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国CREE公司垄断碳化硅衬底LED照明芯片技术的局面,形成了半导体照明技术方案三足鼎立的局面,在国际上率先实现了产业化。获授权发明专利68项,实现了核心部件的每一层都有专利保护。一系列具有完整自主知识产权的核心技术,为我国 LED产业的持续健康发展奠定了坚实基础。

据悉,硅衬底LED制造技术是不同于蓝宝石和碳化硅衬底的第三条LED芯片制造技术路线,具有四大优势:一是硅材料比蓝宝石和碳化硅价格便宜,而且生产效率更高,因此成本低廉,能使LED芯片成本比蓝宝石衬底芯片大幅降低;二是器件具有优良的性能,芯片的抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高;三是芯片封装工艺简单,芯片为上下电极,单引线垂直结构,在器件封装时只需要单电极引线,简化了封装工艺,节约封装成本;四是具有自主知识产权,产品可销往国际市场,不受国际专利的限制。

目前,江西省LED企业晶能光电硅衬底大功率 LED芯片已大规模量产,性能与国际大厂相当,实验室水平也保持全球硅衬底LED技术最高水平。在某些细分市场,硅衬底LED产品已经超越国际大厂,占据市场份额第一的位置,成为我国LED产业与国际大厂同台竞争的核心优势。“中国芯” 硅衬底LED技术从源头上避开了发达国家的技术壁垒,打开了我国LED产业自主发展的空间,已经具备了大规模产业化能力,对我国半导体照明产业发展具有重大战略意义和产业价值,能够显著提升我国在LED照明产业中的国际地位和竞争力。

正是由于“中国芯”硅衬底LED的诸多优势,目前三星等国际大公司以及LED行业几大巨头如飞利浦、欧司朗、CREE等都加大了对硅衬底LED技术的研发力度。面对国际企业的竞争压力,朱立秋建议,要保持先发优势,避免“起个大早赶个晚集”,提升中国原创技术自主品牌的国际竞争力,已经成为迫在眉睫的重要课题。

因此,朱立秋建议,要确立硅衬底LED技术的国家战略地位,大技术研发成果,拓宽产业发展空间,加强核心专利布局,加速产品推广应用。

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