发布时间:2015-03-20 阅读量:1581 来源: 我爱方案网 作者:
【方案介绍】
在PC及tablet产品上, USB3.0接口近年已经普遍的被使用, 由于新一代PC平台支持3.3V /1.8V双主电源, NXP于2014年第三季推出适用1.8V的USB3.0 Re-driver方案-PTN36241G。
【方案特色】
NXP PTN36241G采用1.8V电源设计, 相较于上一代由3.3V电源为主的组件更为省电, 组件承袭上一代组件EQ/DE的调整能力, 新一代产品更把原先24 pin, QFN封装缩小至12 pin QFN封装, 大大的减少系统及产品研发人员的产品空间设计压力。
【系统方块图】
【规格说明】
电源: VDD = 1.8 V (typical)
包装: X2QFN12 package: 1.25 mm x 2.1 mm x 0.35 mm, 0.4 mm pitch
静电防护: 8 kV HBM, 1 kV CDM
操作温度: -40 degree C to +85 degree C
【方案应用】
手机, 平板, Cable, 计算机/NB... 相关USB外围。
在工业自动化、新能源储能及多节电池管理系统中,高精度电流检测是保障系统安全与能效的核心环节。传统检测方案常受限于共模电压范围窄、抗浪涌能力弱、温漂误差大等痛点。国产RSA240系列电流检测芯片的推出,以**-5V~100V超宽共模输入范围和0.1%级增益精度**,为高压场景提供了突破性解决方案。
在工业4.0浪潮推动下,液位测量作为过程控制的核心环节,其精度与可靠性直接影响化工、能源、汽车等关键领域的生产安全。传统霍尔传感器受限于功耗高、温漂大、响应慢等瓶颈,难以满足智能设备对实时性与稳定性的严苛要求。多维科技推出的TMR134x磁开关传感器芯片,通过隧道磁阻(TMR)技术突破传统局限,为高精度液位监测提供新一代解决方案。
英飞凌科技股份公司近日宣布,其基于300mm(12英寸)晶圆的氮化镓(GaN)功率半导体量产技术已取得实质性突破,相关生产流程全面步入正轨。根据规划,首批工程样品将于2025年第四季度交付核心客户,标志着英飞凌成为全球首家在现有大规模制造体系内实现300mm GaN工艺集成的IDM(垂直整合制造)厂商。
日本半导体制造装置协会(SEAJ)7月3日发布修订报告,预计2025年度(2025年4月-2026年3月)日本半导体设备销售额将达48,634亿日元,同比增长2.0%,连续第二年刷新历史纪录。2024年度销售额同比暴涨29.0%至47,681亿日元,首次突破4万亿日元大关。更关键的是,2026年度销售额预计跃升至53,498亿日元(约合5.3万亿日元),年增10.0%,成为史上首个跨越5万亿日元大关的年度;2027年将进一步增长至55,103亿日元,实现连续第四年创新高。
市场研究机构Counterpoint Research最新报告显示,2025年第二季度中国智能手机市场同比小幅增长1.5%。这一温和回升主要由华为与苹果两大品牌驱动,其中华为以12%的同比增速领跑市场,时隔四年重回季度出货量第一宝座,而vivo则以9%的跌幅成为前五厂商中唯一下滑品牌。