秒杀iPhone6?5588元习大大同款YotaPhone2测评

发布时间:2014-12-29 阅读量:734 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】提到YotaPhone大家都会说“就是那个两个屏幕的手机吧”,之所以会这样,就是因为普京将YotaPhone的第二代产品YotaPhone2送给了习大大,今天我们终于拿到了YotaPhone2这款手机,那么就来看一下这款能够作为国礼的YotaPhone2表现到底如何。

相关阅读:
惊了个呆!华强北小哥5c暴改iPhone 5s

iPhone如何与习大大同款?Ink Case方案可以

习大大同款双屏智能手机YotaPhone拆解 原来是中国制造

首先我们先来看一下手机的主要参数

主要参数


YotaPhone2在参数上来看并没有太过特殊的地方,手机的配置在目前来看与国内的中高端手机持平,性能表现不错,能够保证手机流畅的运行,即使面对大型游戏或者软件,也完全没有问题,性能方面大家倒不用担心。
 

YotaPhone2


手机正面拥有一块5英寸的1080P屏幕,采用了SuperAMOLED显示屏,优点就是省电且颜色艳丽,视觉效果很不错。手机的可视角度也是比较不错的,从侧面看屏幕,并没有明显的偏色情况出现。
 

YotaPhone2


在手机屏幕上方的听筒设计较为独特,要比传统的网格式听筒设计更显档次。在听筒边上拥有一枚210万像素前置摄像头,通过测试,手机的前置摄像头拍照质量还是比较不错的,画质较为清晰,遗憾的是针对美颜方面的优化并不多。

YotaPhone2


手机采用了虚拟触控按键

YotaPhone2

 

手机底部的听筒以及扬声器在microUSB数据线接口周围,采用了对称的设计。
 

YotaPhone2


手机另外一处比较不错的设计就在于机身右侧的卡槽,YotaPhone2将SIM卡槽与音量键相结合,这样可以避免在机身上留下过多的开口,影响手机的一体性。
 

YotaPhone2


用取卡针扎一下音量键上的小孔即可弹出卡槽,因为卡槽外侧的挡板还起到音量键的作用,所以该卡槽挡板不像一般卡槽那样是固定的,而是活动的,取卡的时候总是给人要掉下来的感觉。卡槽的外侧挡板与卡槽依靠一个凸起的卡扣连接,虽然松动,但是一般情况下是掉不下来的。
 

YotaPhone2

手机采用的是NanoSIM卡

YotaPhone2


在手机背面就是一块4.7英寸的电子墨水屏,采用16级灰度,平时用来看文字是非常合适的。与一般电纸书用的屏幕相同,要比传统的屏幕更适合阅读。电纸屏还非常的省电,如果你只使用电纸屏的话,手机可以达到3天的使用时间。
 

YotaPhone2

 

YotaPhone2背面拥有一枚800万像素主摄像头,配备有LED补光灯,摄像头的规格不算高,但是平时拍照的话问题也不大。
 

YotaPhone2


YotaPhone2背部的电纸屏还可以起到自拍镜的用途,因为手机的电纸屏可以显示正面屏幕的所有内容,所以可以显示摄像头的取景画面,虽然无法看清细节,但是看个大概是没问题的,使用主摄像头自拍的时候只需要盯着电纸屏看一下取景范围就好了。
 

YotaPhone2


YotaPhone2的整体设计非常简洁,圆润的机身手感也非常出色,手机的边框都采用了细腻的磨砂工艺,基本上杜绝了指纹问题。
 

YotaPhone2


手机的边框以及背部稍有些滑,所以如果不小心可能有脱手的危险。另外手机的正面玻璃紧挨屏幕的边框,如果跌落的话,有较大可能会碎裂。手机背部也不像其他手机那样只是一个后壳,YotaPhone2背面也有一个电纸屏,也比较怕摔,所以使用这款手机还需要多多注意保护,尽量避免跌落情况。
 

YotaPhone2

手机的设计非常简洁,在不点亮屏幕的时候,手机的整体性非常强,在手机上并没有太多的装饰,仅在背面靠下的位置标注了“YOTAPHONE”字样,这种简单的设计符合大多数用户的审美习惯。

来源:POP网

相关资讯
中国芯片产业再突破:小米自研3nm玄戒O1芯片量产开启高端化新篇章

2025年5月20日,小米集团董事长雷军通过微博宣布,小米自主研发的3nm旗舰芯片“玄戒O1”已进入大规模量产阶段,并计划于5月22日发布会上推出搭载该芯片的高端旗舰手机小米15S Pro和OLED平板7 Ultra。这一突破标志着中国芯片设计能力正式跻身全球第一梯队,成为继苹果、高通、联发科之后全球第四家掌握3nm手机SoC技术的企业。

国产芯片突围战:国科微4TOPS算力芯片如何撼动车载AI市场?

在全球汽车智能化浪潮下,车载芯片正成为产业链竞争的核心战场。国科微近期在接受机构调研时透露,公司已完成多款车规级AI芯片和SerDes芯片的研发测试,并通过ISO26262 ASIL B功能安全认证,标志着国产芯片企业在智能驾驶领域实现关键技术突破。本文将结合行业趋势与企业动态,分析其技术布局与市场前景。

从去库存到补周期:2025上半年存储市场供需拐点深度透视

全球存储产业在2025年上半年经历了显著的价格波动周期,呈现典型的"V型"复苏态势。据TrendForce最新市场监测数据显示,五大NAND Flash头部厂商(三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据)于二季度联合实施产能调控策略,将稼动率下调10-15个百分点,这一战略性减产措施有效缓解了市场库存压力。存储器现货价格指数显示,NAND Flash产品价格在Q2实现3-8%的环比涨幅,成功扭转连续三个季度的下行趋势。

开关损耗降低55%:解析东芝第三代SiC MOSFET的竞争优势与应用前景

2025年5月20日,东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝”)宣布推出四款650V碳化硅(SiC)MOSFET器件——TW031V65C、TW054V65C、TW092V65C和TW123V65C。这些产品基于第三代SiC MOSFET技术,采用创新的DFN8×8表贴封装,显著提升了功率密度和开关效率,主要面向工业设备中的开关电源、光伏逆变器及电动汽车充电站等高增长领域。

BOM成本直降30%!贸泽首发高性价比AI处理器方案

在全球智能化转型加速的背景下,贸泽电子作为全球领先的电子元器件代理商,今日宣布正式开放Renesas Electronics RZ/V2N嵌入式AI微处理器的全球供货。这款采用创新架构的处理器专为视觉AI应用场景深度优化,通过集成式异构计算方案,成功在算力密度与能效比之间取得突破性平衡,其15 TOPS的AI推理性能搭配10 TOPS/W的能效表现,为工业视觉、移动机器人等边缘计算领域带来全新解决方案。