【牛人DIY】手工打造高亮LED自制手电筒

发布时间:2014-06-17 阅读量:6730 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】手电筒这种家用电器想必大家都不陌生了,不过面对是市场上外形雷同,品种单一的产品。作为一个创意十足的“骚年”,你是不是觉得该做点什么呢?是的,来看看这个手电筒“小直”吧,绝对是“只此一件”的哦!小编就来带领大家观摩这个制作的过程。

高亮LED自制手电筒1
高亮LED自制手电筒图
 
1 自制手电筒工具和材料

● 电烙铁

● 手磨

● 美工刀

○ 350欧姆电阻1个

○ IN4007发光二极管1个

○ 硅橡胶和导热固化胶

○ AB胶

○ 1WLED1个

○ 15度聚光透镜1个

○ 18650锂电池(要带充电保护板的)1个

○ AMC7135稳流芯片1个

○ 内径21mm的不锈钢管一支

○ 开关1个

○ 热缩管

○ 导线 


2 工作原理


高亮LED自制手电筒工作原理图
 
  7135IC的厂家提供的电路

   高亮LED自制手电筒工作电路草图
高亮LED自制手电筒工作电路草图



3 焊接稳流芯片和LED

 高亮LED自制手电筒焊接PCB图
高亮LED自制手电筒焊接PCB图

 ●将7135IC平放在LED的PCB面,用书夹子夹住然后焊接
 

 
 
高亮LED自制手电筒焊接PCB完成图
高亮LED自制手电筒焊接PCB完成图
焊接好的样子

4 接线

7135IC接线图
 7135IC接线图

● 按照电路图的说明,红线接LED正极,黑线接7135IC的GND脚

5 加工聚光透镜

 自制手电筒LED 完成图
 
  自制手电筒LED 完成图1
● 装好LED

制手电筒LED 完成图2
 制手电筒LED 完成图2

● 涂上硅橡胶提高防水防尘性能
 

制手电筒LED 完成图3
制手电筒LED 完成图3
 
● 装好透镜点亮测试,不错,亮了

制手电筒LED 完成图4
制手电筒LED 完成图4

● 将透镜装进不锈钢管

制手电筒LED 完成图5
制手电筒LED 完成图5
 
● 从尾部扯出电线,倒进导热固化硅胶以便把LED的热量传到不锈钢管6 安装蓄电池

制手电筒LED 完成图6
制手电筒LED 完成图6
 

● 装上电池,在电池负极接出两根导线

制手电筒LED 完成图7
制手电筒LED 完成图7

● 倒点硅橡胶进去把电池和不锈钢管之间的空间填满
制手电筒LED 完成图8
制手电筒LED 完成图8

● 把2条负极线接在充电插座的负极

制手电筒LED 完成图9
制手电筒LED 完成图9
 
● 充电插座的正极焊上二极管,然后套上热收缩管绝缘。电池正极线接在二极管的输出端,另一条线接充电插座正极线

制手电筒LED 完成图10
制手电筒LED 完成图10

● 在充电插座的正极输出线接上一颗350欧姆的电阻,套上热缩管,把LED用胶水贴在开关的指示灯孔(开关内部是带指示灯的,把开关原来的指示灯拆掉,把这个装上去就可。充电时候透过开关的半透明红色外壳可以看到这颗LED的亮光) 。 这种开关自带指示灯,它的功能是打开开关这个灯就会亮,但是我们作为一只手电筒是不需要的,所以就把另一个回路上的充电指示灯接到原来开关带灯的位置上了。
 


 制手电筒LED 完成图11
制手电筒LED 完成图11
 
 
● 1Wled的正极线接上开关的随便一头,另一头接的是电池的正极线

制手电筒LED 完成图12
 
● 电阻的另一脚接上LED指示灯的正极,套好热缩管。现在全部线都接好了,把充电插座伸出之前打好的充电孔用AB胶固定。最后就是在开关上涂上AB胶,按进不锈钢管等待胶水固化。

 制手电筒LED 完成图13
制手电筒LED 完成图13
 
 
7 测试
制手电筒LED测试图
 制手电筒LED测试图

● 充电
制手电筒LED充电图
 
制手电筒LED充电图1
 
● 充电时的开关

制手电筒LED充电图2
制手电筒LED充电图2

● 2米距离照的光斑。比较圆,呵呵~大功告成啦!

相关资讯
宇树科技启动IPO辅导,冲刺“人形机器人第一股”

2025年7月18日,杭州宇树科技股份有限公司(以下简称“宇树科技”)正式在浙江证监局完成上市辅导备案,拟在A股首次公开发行股票(IPO)。辅导机构为中信证券,律师事务所及会计师事务所分别为北京德恒和容诚。根据计划,中信证券将于2025年10月对宇树科技进行上市条件评估,并协助其提交IPO申请文件。若顺利上市,宇树科技有望成为A股“人形机器人第一股”。

日本 Rapidus 启动关键一步:IIM-1 厂成功试产 2nm 测试晶圆

近日,日本半导体新创企业Rapidus宣布,其位于北海道的IIM-1晶圆厂已启动2nm制程的测试晶圆生产,并计划于2027年实现量产。这一进展标志着日本在先进制程领域的重大突破,有望重塑全球半导体产业格局。

台积电2nm制程产能大幅扩张 全球芯片巨头争相抢购

台积电2nm制程技术将按计划于2024年下半年进入量产阶段。由于苹果、AMD、英特尔等首批客户订单需求强劲,加上高通、联发科、英伟达等厂商后续跟进,台积电2nm产能供不应求。为此,台积电计划大幅提升产能,目标在2025年将月产能从今年底的4万片提升至10万片,增幅高达1.5倍。

日本Rapidus突破2nm芯片技术,挑战台积电三星霸主地位

日本政府支持的半导体企业Rapidus于7月18日宣布,已成功试产国内首个2nm晶体管,标志着该国在先进芯片制造领域取得关键突破。这一进展是日本耗资5万亿日元(约合340亿美元)半导体复兴计划的重要里程碑,旨在重塑其在全球芯片产业链中的竞争力。

RISC-V架构突破性能瓶颈,Andes发布新一代AX66处理器IP

在2025年RISC-V中国峰会的“高性能计算分论坛”上,Andes晶心科技CEO林志明正式发布了公司最新一代64位RISC-V处理器IP——AX66。该产品基于RISC-V国际基金会最新批准的RVA23 Profile标准,专为高性能计算(HPC)、AI加速及边缘计算等场景优化,标志着RISC-V生态在高性能计算领域的进一步成熟。