发布时间:2014-05-9 阅读量:703 来源: 发布人:
方案一:低成本、多功能、低分辨率显示方案
该方案采用性价比最高的A3P030和SRAM来实现,不仅成本低,而且灵活性非常大,实现的功能丰富,由于采用性价比较高的SRAM,容量有限,适合于低分辨率的TFT屏显示。
功能特点:
1、采用Microsemi小容量的A3P030以及SRAM(IS61LV25616AL)来实现,具有成本低的特点
2、接口非常灵活,根据不同的需要可以定制Intel并行总线接口、SPI接口等
3、并行总线接口的速度最高可达25MHz左右,相当于480×272分辨率的TFT在1秒钟内可以更新191副图片;SPI的时钟速度同样可以达到25MHz以上的速度
4、支持双缓存的操作,两个缓存都可进行读写的操作
5、支持双缓存间数据拷贝功能,两缓存间可以进行DMA的数据拷贝
6、支持定点和区域更新内容
7、支持16位色480×272以及以下分辨率的TFT显示屏,刷新率在60Hz以上
8、支持前景色和背景色设置的功能
9、显示数据来源于MCU,数据可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放图片、汉字库等,容量大小由用户自行控制
10、配套提供的MCU GUI库可以实现画点、画线、画圆、画矩形等功能
方案二:低成本、高性能、高分辨率显示方案
该方案采用A3P060和SDRAM的方式实现,同样成本低,由于Microsemi资源较为丰富,并且内部带有PLL,所以可以实现高分率的TFT显示,最高可达1024×768。
功能特点:
1、采用Microsemi中等容量的A3P060以及SDRAM(IS42S16400F)来实现,同样具有成本低的特点
2、接口灵活,根据不同的需要可以定制Intel并行总线接口或SPI接口等
3、并行总线接口的速度最高可达50MHz左右,相当于800×600分辨率的TFT在1秒钟内可以更新100副图片
4、支持双缓存的操作,两个缓存都可进行读写的操作
5、支持定点和区域更新内容
6、支持16位色1024×768以及以下分辨率的TFT显示屏,刷新率在60Hz以上
7、显示数据来源于MCU,数据可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放图片、汉字库等,容量大小由用户自行控制
8、配套提供的MCU GUI库可以实现画点、画线、画圆、画矩形等功能
方案三:高性能、低分辨率显示方案
该方案采用A3P060和SRAM的方式实现,并将串行Flash由FPGA来控制,由于A3P060资源较为丰富,可以实现较高的图片显示速度,并且降低了MCU的负担。
功能特点:
1、采用Microsemi中等容量的A3P060以及SRAM(IS61LV25616AL)来实现,成本较低,略高于前两者的方案
2、接口灵活,根据不同的需要可以定制8位Intel并行总线接口或SPI接口等
3、TFT的显示数据通过FPGA从串行Flash读取,MCU负责发送图片显示的命令,大大减轻了MCU的负担,以至于可以通过普通的8位MCU即可实现TFT的控制显示,1秒钟内可以更新30副320×240分辨率的图片
4、支持定点和区域更新内容
5、支持16位色480×272以及以下分辨率的TFT显示屏
6、串行Flash最高支持128Mbit的,可以存放61幅480*272的图片
7、配套提供的MCU GUI库可以实现画点、画线、画圆、画矩形等功能
方案四:多功能、高分辨率显示方案
该方案采用A3P125和SDRAM的方式实现,由于A3125资源较为丰富,除了可以实现高分辨率的显示以外,还可以实现多图层的功能,功能上高于上述的方案。
功能特点:
1、采用Microsemi中等容量的A3P125以及SDRAM(IS42S16400F)来实现,功能丰富,性能较高;
2、接口灵活,根据不同的需要可以定制Intel并行总线接口或SPI接口等;
3、并行总线接口的速度最高可达50MHz左右,相当于800×600分辨率的TFT在1秒钟内可以更新100副图片;
4、支持双缓存的操作,两个缓存都可进行读写的操作;
5、支持双缓存间数据拷贝功能,两缓存间可以进行DMA的数据拷贝;
6、支持定点和区域更新内容;
7、支持多图层的操作,可以支持2~4个图层,根据不同的分辨率不同而不同;
8、支持16位色1024×768以及以下分辨率的TFT显示屏,刷新率在60Hz以上;
9、显示数据来源于MCU,数据可以存放于外部的串行或并行的Flash,可以存放图片、汉字库等,容量大小由用户自行控制;
在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。
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