发布时间：2014-01-15 阅读量：669 来源: 我爱方案网 作者:
上海，2014年1月15日 – 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功开发了专为先进的28 nm SoC器件量身打造的全新设计方法，不仅能实现更高的电路密度，同时也可有效缩短开发时间。采用全新设计方法能够将电路的密度提高33%，并可将最终的线路布局时间缩短至一个月。这种设计方法将整合至富士通半导体的各种全新定制化SoC设计方案中，协助客户开发RTL-Handoff SoC器件。富士通半导体预计自2014年2月起将开始接受采用这种全新设计方法的SoC订单。
采用28 nm等顶尖制程工艺的SoC器件需要有越来越多的功能与效能，进而要在芯片中布建越来越多的电路。未来SoC的设计将日趋复杂，开发时间也将会因此较以往增加，同时如何有效解决功耗问题也成为设计者的更大挑战。
为应对日趋复杂的SoC设计，富士通半导体所开发出的创新设计方法能实现更高的电路密度、更短的开发时程和降低功耗，并整合至富士通半导体的各种全新定制化SoC设计方案中，协助客户开发RTL-Handoff SoC组件。较传统的设计流程，设计者可采用富士通半导体的全新设计方法在相同大小的芯片中增加33%电路，而且可将最终的线路布局时间缩短至一个月。
全新设计方法将White Space有效最小化
全新的独家设计流程可估算出较容易布线的平面图，并根据布线路径与时序收敛为内部数据总线进行优化。这些设计步骤可将无法建置晶体管的White Space数量降到最少，因而可让芯片容纳更多电路。
透过专利技术协调逻辑与物理架构
此专利技术无须更动任何逻辑设计，即可自动针对物理布线进行网表数据合成，并可提升整体设计的布线效率以及使时序收敛变得更容易，因而可有效减少最终布线流程所需的时间，更可达到更高的密度整合度。
图1：富士通半导体全新客制化SoC设计方法示意图
富士通半导体是世界级的ASIC供货商，多年来运用在业界累积的傲人成绩和专精技术，持续提供一站购足的完整定制化SoC解决方案，其中结合了先进设计建置、制造服务和系统级研究、开发支持等服务。透过上述解决方案，富士通半导体将能支持客户快速开发高效性能及省电的SoC器件。
2025年6月12日，TP-Link外销主体联洲国际（TP-Link Systems）位于上海张江的WiFi芯片部门启动重大裁员，从通知到离职手续仅用半天完成，涉及算法、验证、设计等核心岗位员工，仅保留少数成员。公司提供N+3的高额补偿方案，远高于中国法定的N+1标准，被视为当前裁员潮中的“清流”。行业分析指出，此次调整主要针对WiFi前端模块（FEM） 研发线，而非全面退出芯片领域。FEM作为连接芯片与天线的关键组件，其研发投入缩减与WiFi 7芯片量产进度延迟及成本控制压力直接相关。
2025年6月全球存储市场遭遇剧烈波动，DDR4内存现货价格单日暴涨近8%，创下近十年最大单日涨幅。据DRAMeXchange数据显示，截至6月13日，DDR4 8Gb（1G×8）3200颗粒均价飙升至3.775美元，单周涨幅达38.27%，本季度累计涨幅更突破132%。反常的是，DDR4价格竟反超新一代DDR5，形成罕见“价格倒挂”现象，业界直呼“十年未遇”。
全球半导体代工产业正面临先进制程的经济性挑战。三星电子在推进Exynos 2600处理器的2nm GAA工艺量产时，遭遇显著成本压力。据行业信息显示，其原型芯片试产阶段的晶圆制造成本同比增加约40%，当前良率区间为30%-40%，远低于70%的盈亏平衡点。若无法在今年底实现良率突破，Galaxy S26系列的处理器单颗成本将比现行5nm芯片高出约三倍。
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在汽车智能化、网联化发展势不可挡的时代背景下，稳定、高速的车载通信系统成为刚需。作为国内领先的IC设计企业，艾为电子洞悉市场趋势，依托深厚的射频技术积淀，正式面向全球市场推出两款高性能车规级射频开关产品：AW13612PFDR-Q1 与 AW12022TQNR-Q1。这两款产品严格遵循车规AEC-Q100标准认证，专为应对汽车电子严苛的振动、冲击、宽温度范围（-40℃至105℃）工作环境而设计，工作频率覆盖0.1GHz至5.925GHz，完美适配4G LTE、5G NR、C-V2X等主流车载通信频段。其核心使命是为车载通信模块（如5G T-Box）、智能座舱系统等提供高可靠、低损耗的信号路由解决方案，保障车辆与外界信息的高速、稳定传输。
