三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

发布时间:2013-10-17 阅读量:1184 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】芯片专家ChipWorks近日拿到了三星Galaxy Note 3,而且有AT&T LTE版本和3G通用版本两款。二者外表看上去没啥不一样,但内部大为不同(如果能加上双卡版就完美了)。下面是拆解对比图。

 

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

LTE版

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

3G版

初步拆解后可以看到,零部件和主板布局也是大同小异,但到了芯片层次上就迥异了。

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

LTE版零部件

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

3G版零部件

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

LTE版主板正面

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

3G版主板正面
 

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

LTE版主板背面

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

3G版主板背面

LTE版的处理器是高通骁龙800 MSM8974,四核心,2.3GHz,3G版则是三星自己的Exynos 5420 1.9GHz八核心,二者都隐藏在三星LPDDR3 3GB内存之下,PoP封装。

可以发现,Exynos PoP芯片周围的互连焊球更多,右侧和上方都是三行,显然与内存的联系需要更多“通道”。

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

LTE版处理器

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

3G版处理器

以下是两个版本的详细规格对比表,很明显LTE版是高通的天下,3G版则是“大杂烩”。

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

 

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

MSM8974 ARAGORN2内核照片

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

MSM8974 ARAGORN2内核标记

IMX135是索尼最新的手机图像传感芯片,将传感器堆叠到了图像处理器之上,通过TSV硅穿孔技术连通,更加紧凑。

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

IMX135内核照片和TSV通道

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

IMX135 TSV硅穿孔侧视图

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

Cypress Capsense CY8C20055按钮控制器
 

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

Cypress Capsense CY8C20055按钮控制器近照

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

Avago ACPM-7600前端模块

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

Murata SWUA天线切换模块

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

the Murata SWUA模块Peregrine C9941芯片内核照片

三星Galaxy Note 3芯片级拆解,LTE版和3G版内部大不同

Peregrine C9941内核标记
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