IR新电源模块组件为DC-DC开关应用提供领先的功率密度

发布时间:2013-08-6 阅读量:793 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】2013年8月6日,IR推出创新的电源模块组件,新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR的新一代硅技术和崭新的5x6 mm PQFN封装,提供功率密度的新标准,为DC-DC同步降压应用提供行业领先的功率密度。

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出首套创新的电源模块组件系列产品—— IRFH4251D和IRFH4253D,适用于DC-DC同步降压应用,包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 和笔记本电脑等。

新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR的新一代硅技术和崭新的5x6 mm PQFN封装,提供功率密度的新标准。全新电源模块组件配有高度集成的单片式FETKY?,其创新的封装采用顶尖的翻模 (flipped-die) 技术,可以将同步MOSFET源直接连接到电路板的地线层以实现有效散热。由于具有更强的散热性能和功率密度,任何一个采用5x6 mm封装的新组件都可以替换采用5x6 mm封装的两个标准独立组件。全新封装还采用已在PowIRStage和SupIRBuck中广泛使用的IR专利技术单铜夹,以及经过优化的布线,有助于大幅减少杂散电感以降低峰值鸣震,这样设计师就可以用25V MOSFET代替效率较低的30V组件。

IR新电源模块组件为DC-DC开关应用提供领先的功率密度

 

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IRFH4251D和IRFH4253D电源模块组件采用顶级的硅技术和突破性封装,具有多项崭新功能,为高性能DC-DC开关应用提供行业领先的功率密度。这些组件采用更高效的布线,必可树立DC-DC双MOSFET的行业新标准。”

IRFH4251D和IRFH4253D针对5V栅极驱动应用进行了优化,可与各种控制器或驱动器结合使用,从而带来设计的灵活性,与采用两个分立式30V功率MOSFET的同类方案相比,能以较小的占位面积实现更高的电流、效率和频率。

规格

组件编号                  封装                   电流额定值
IRFH4251D      PQFN 5 X 6                 45A
IRFH4253D      PQFN 5 X 6                 35A

IR简介

国际整流器公司  (NYSE:IRF) 是全球功率管理技术方面的领导厂商。IR的数字、模拟和混合讯号IC及其他先进功率管理器件可用来驱动高效能运算,且为广泛的商业和消费者应用节省能源 。世界上有不少著名的计算机、省电电器、照明设备、汽车、卫星系统、航空和国防系统制造商都倚靠IR的功率管理技术来设计其下一代产品。

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