四核详解:基于28nm工艺的骁龙800、瑞芯微RK3188

发布时间:2013-07-25 阅读量:1155 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】芯片专家Chipworks详细介绍了高通骁龙800、瑞芯微RK3188两款基于28nm工艺的四核心移动芯片,并首次曝光了它们的内核照片(多晶硅层面)。随着小编来看看基于28nm工艺的骁龙800、瑞芯微RK3188的四核芯片究竟是怎样的吧?

芯片专家Chipworks近日发布报告,详细介绍了高通骁龙800、瑞芯微RK3188两款基于28nm工艺的四核心移动芯片,并首次曝光了它们的内核照片(多晶硅层面)。

详解骁龙800 MSM8974

骁龙800 MSM8974是当今最顶级的移动芯片,采用台积电28nm HPM工艺制造,内核面积11.14×10.62=118.3平方毫米,整合四个Krait 400 2.3GHz CPU核心、Adreno 330 450MHz GPU核心、3G/4G LTE基带。

详解骁龙800 MSM8974

这也是高通第一次使用台积电最高端的28nm HPM工艺(也是该工艺第一次量产),融入了高K金属栅极技术和硅锗材料,栅极长度更短、SRAM单元面积更小(0.13平方微米),可将芯片性能发挥到极致并很好地控制功耗。此前高通用的都是28nm LP,使用多晶硅栅极和氮氧化硅。

NVIDIA Tegra 4用的则是28nm HPL,注重漏电率与性能之间的平衡,仅从这一点看NVIDIA就不会在性能上占优势。

详解骁龙800 MSM8974

台积电宣称,28nm HPM可以带来比28nm HP更高的频率,同时漏电率水平保持一致,非常适合高性能移动处理器。

详解骁龙800 MSM8974

 

详解瑞芯微RK3188

瑞芯微RK3188整合了四个ARM Cortex-A9 1.6GHz CPU核心、四个ARM Mali 600MHz GPU核心,内核面积4.71×5.82=24.7平方毫米。

详解瑞芯微RK3188

它是第一款国产的28nm工艺移动芯片,但用的是GlobalFoundries 28SLP(超低功耗)工艺,同样也有高K金属栅极技术,定位就是竞争台积电28nm HPM。

详解瑞芯微RK3188

GF是通用平台联盟的一员(还包括IBM、三星),28nm SLP技术自然也来源于此,所以用的是前栅极(gate first),PMOS晶体管内也有硅锗通道。不同于给AMD制造处理器的32nm SOI,这种工艺是Bulk Silicon。

详解瑞芯微RK3188

是不是觉得上边的图都太小了不过瘾?不好意思,大图是要和详细报告一起卖钱的:内核照一张200美元、多晶硅层内核照一张2500美元、功能性分析报告一份5000美元、架构前端分析一份17000美元。
 

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