发布时间：2013-07-11 阅读量：650 来源: 我爱方案网 作者:
电机控制系统设计人员需要能够在严苛的应用条件下，提高效率同时确保最高可靠性的解决方案。为迎接该挑战，全球领先的高性能功率和移动半导体解决方案供应商飞兆半导体开发了 SPM 5 智能功率模块系列三相 MOSFET 逆变器解决方案，为设计人员提供交流感应电机 (ACIM) 和无刷直流电机逆变器解决方案，适用于功率最高为 200 W 的电机，包括风扇电机、洗碗机和各种小型工业电机。
新型 SPM 5 系列产品包括六个快速恢复 MOSFET 和三个半桥式 HVIC，实现栅极驱动。该器件的电磁干扰 (EMI) 小且开关速度经过优化。
对低 RDS(ON) MOSFET 的精确驱动，实现电磁干扰 (EMI) 最小化和开关效率最大化。集成的欠压锁定和热感应单元为 SPM 器件提供局部保护，同时允许附带的控制器 IC 实时监控模块的热性能。
作为 Motion SPM 5 SuperFET系列产品的一部分，FSB50x60SF(S) 器件基于 600 V 超级结 MOSFET 技术，而FSB50xxxA(x) 器件则基于 250V/500V FRFET技术。SPM 5 SuperFET 系列产品是业界首个用于小型家电和小型工业驱动装置的 600 V 超级结 MOSFET 模块解决方案。与基于 IGBT 的功率模块或单芯片解决方案相比，这两种技术可提供更佳的耐用性和更大的安全工作区 (SOA) 。
新型 SPM 系列产品带有三个自举二极管，在 29 mm x 12 mm 的微小封装中，实现 250 V、500 V 和 600 V 的额定工作电压。紧凑型设计和简单的电气接口使其成为需要小占位面积、快速上市和可扩展性设计应用的理想选择，比如内置电机应用以及任何其他组装空间有限的应用。该系列产品器件为设计人员提供当今应用所需的高能效、紧凑设计和低电磁干扰。
设计人员还可以使用飞兆半导体的运动控制设计工具，它是一个在线资源，能够计算功耗和温度波动，有助于选择更优的散热器并最终降低系统成本。
飞兆半导体提供整套高度集成的智能功率模块，为大范围能量调节型应用提供高效的电机控制。新型SPM 5 系列解决方案能在提升能效的同时简化系统设计、节省电路板空间、提高系统可靠性并加快上市时间。
飞兆半导体公司简介
美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) － 全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率及便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品，并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。
全球高端电视市场格局正经历深刻变革。Counterpoint Research最新报告显示，2025年第一季度全球高端电视出货量同比大幅攀升44%，行业收入同步增长35%。中国品牌展现了强大竞争力，特别是TCL和海信表现亮眼，两大品牌出货量均实现三位数同比增长，引领全球市场进入发展新阶段。
据路透社等多家权威外媒报道，全球碳化硅（SiC）材料与器件的头部企业Wolfspeed Inc. (NYSE: WOLF) 正面临严峻财务危机，即将申请破产保护。消息人士透露，该公司计划采取“预先打包”（pre-packaged）的破产重组模式，由以阿波罗全球管理公司（Apollo Global Management）为首的债权人团体主导接管过程。此消息引发资本市场剧烈反应，Wolfspeed股价在6月19日单日暴跌超过30%，报收于0.8732美元每股，年初至今累计跌幅已高达86.89%，反映出市场对其前景的极度悲观。
天风国际知名分析师郭明錤最新报告指出，苹果折叠屏iPhone核心代工伙伴鸿海（富士康）将于2024年第四季度正式启动项目开发，标志苹果首款折叠屏设备进入工程阶段。根据供应链进度预测，量产时间预计落在2026年第二季度，较此前行业传闻更明确，但最终产品规格仍存调整可能。
当地时间6月18日，全球领先芯片设计厂商Marvell Technology在网络研讨会上宣布，将其定制化人工智能（AI）加速芯片的2028年整体潜在市场规模（TAM）预估从430亿美元大幅调升至550亿美元。受此积极预期推动，Marvell当日股价强势上涨7.09%，报收于74.95美元/股，创下自今年3月5日以来的收盘新高。
Intel 18A作为英特尔“四年五节点”战略的收官之作，首次集成RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术两大创新。RibbonFET通过优化栅极静电控制，显著降低漏电率并提升晶体管密度；PowerVia则将供电网络移至晶圆背面，减少信号干扰并降低电阻，使单元利用率提高5%-10%，最坏情况下的固有电阻（IR）下降达10倍。两者的结合推动Intel 18A相较Intel 3实现15%的每瓦性能提升与30%的芯片密度增长，同时在同功耗下性能提升18%-25%，同频下功耗降低36%-38%。
